.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點(diǎn)在后級(jí)濾波電感前面更好。因?yàn)闉V波電感前的波動(dòng)更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開(kāi)啟程度是一定的，因?yàn)?2V的波動(dòng)可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個(gè)光耦供電取樣點(diǎn)的選擇更有利于動(dòng)態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。?！?2V繞組應(yīng)該放在更接近于初級(jí)繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因?yàn)槲覀兎答伈蓸拥氖?V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個(gè)繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對(duì)的來(lái)說(shuō)是有一定參考價(jià)值的。

例如，如果印制板兩條細(xì)平行線(xiàn)靠得很近，則會(huì)形成信號(hào)波形的延遲，在傳輸線(xiàn)的終端形成反射噪聲；由于電源、地線(xiàn)的考慮不周到而引起的干擾，會(huì)使產(chǎn)品的性能下降，因此，在設(shè)計(jì)印制電路板的時(shí)候，應(yīng)注意采用正確的方法。每一個(gè)開(kāi)關(guān)電源都有四個(gè)電流回路：(1). 電源開(kāi)關(guān)交流回路(2). 輸出整流交流回路(3). 輸入信號(hào)源電流回路(4). 輸出負(fù)載電流回路輸入回路通過(guò)一個(gè)近似直流的電流對(duì)輸入電容充電，濾波電容主要起到一個(gè)寬帶儲(chǔ)能作用；類(lèi)似地，輸出濾波電容也用來(lái)儲(chǔ)存來(lái)自輸出整流器的高頻能量，同時(shí)消除輸出負(fù)載回路的直流能量。


LEB前沿消隱時(shí)間設(shè)短了，比尖峰脈沖的時(shí)間還短，那就沒(méi)有效果了還是會(huì)誤判；如果設(shè)長(zhǎng)了，真正的過(guò)流來(lái)了起不到保護(hù)的作用。 Rcs與Ccs的RC值不可超過(guò)1NS的Delay，否則輸出短路時(shí)，Vds會(huì)比滿(mǎn)載時(shí)還高，超過(guò)MOSFET耐壓就可能造成炸機(jī)。 經(jīng)驗(yàn)值1nS的Delay約等于1K對(duì)100PF，也等于100R對(duì)102PF 16.畫(huà)小板時(shí)，在小板引腳的90度拐角處增加一個(gè)圓形鉆孔。理由：方便組裝 如圖： 實(shí)物如圖： 實(shí)際組裝如圖： 這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合，不會(huì)有浮高現(xiàn)象 17.電路設(shè)計(jì)，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線(xiàn)路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒 18.電路調(diào)試，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因?yàn)?N4007速度慢300uS，壓降也大1.3V，老化過(guò)程中溫度很高，容易失效造成炸機(jī) 19.電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。