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采用這種結構的SBD，擊穿電壓由PN結承受。通過調控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結的導通門限電壓為0.6V，而肖特基勢壘的結電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。

ASEMI工程師講解雪崩問題解決方案

在IAS下不會燒毀的維持時間:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是說，SBD在出現(xiàn)雪崩之后IAS=100A時，可保證在5μs之內(nèi)不會損壞器件。EAS是檢驗肖特基勢壘可靠性的重要參量200V/100A的SBD在48V輸出的通信SMPS中可替代等額定值的FRED，使整流部分的損耗降低10%~15%。由于SBD的超快軟恢復特性及其雪崩能量，提高了系統(tǒng)工作頻率和可靠性，EMI也得到顯著的改善。

總而言之，肖特基二極管和快恢復二極管區(qū)別：前者的恢復時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒！

前者的優(yōu)點還有低功耗，大電流，超高速！電特性當然都是二極管！

快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.這兩種管子通常用于開關電源。快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。