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ASEMI工程師講解雪崩問(wèn)題解決方案

在IAS下不會(huì)燒毀的維持時(shí)間:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是說(shuō)，SBD在出現(xiàn)雪崩之后IAS=100A時(shí)，可保證在5μs之內(nèi)不會(huì)損壞器件。EAS是檢驗(yàn)肖特基勢(shì)壘可靠性的重要參量200V/100A的SBD在48V輸出的通信SMPS中可替代等額定值的FRED，使整流部分的損耗降低10%~15%。由于SBD的超快軟恢復(fù)特性及其雪崩能量，提高了系統(tǒng)工作頻率和可靠性，EMI也得到顯著的改善。

ASEMI肖特基二極管與快恢復(fù)二極管有什么區(qū)別?

這是兩種工藝的芯片技術(shù)，勢(shì)壘工藝肖特基二極管頻率比平面硅片的快恢復(fù)二極管更高，TRR參數(shù)只幾nS,基本忽略，正向?qū)妷旱停涣泓c(diǎn)幾伏（低自身功耗），但點(diǎn)壓不高，一般只能做到200V，現(xiàn)在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的參數(shù)需求可以詳詢(xún)ASEMI在線(xiàn)客服。

肖特基二極管

      優(yōu)點(diǎn)：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復(fù)時(shí)間極短:        可達(dá)5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點(diǎn)：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)