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肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發(fā)展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀(jì)延續(xù)了這個(gè)不平凡，將高頻率低耗損環(huán)保節(jié)能的產(chǎn)品引入并發(fā)展！

在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對(duì)應(yīng)的分能級(jí)上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會(huì)從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散，從而使金屬帶上負(fù)電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個(gè)薄層之內(nèi)。而對(duì)于N型半導(dǎo)體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

ASEMI高壓SBD

長(zhǎng)期以來，在輸出12V~24V的SMPS中，次級(jí)邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中，只有選用200V~400V的FRED。設(shè)計(jì)者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國(guó)IR公司和APT公司以及ST公司瞄準(zhǔn)高壓SBD的巨大商機(jī)，先后開發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結(jié)構(gòu)上增加了PN結(jié)工藝，形成肖特基勢(shì)壘與PN結(jié)相結(jié)合的混合結(jié)構(gòu)