金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費(fèi)，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當(dāng)然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。這些材料不僅包括金屬封裝的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應(yīng)電子封裝發(fā)展的要求，國內(nèi)開展對金屬基復(fù)合材料的研究和使用將是非常重要的。國內(nèi)外都有Al2O3彌散強(qiáng)化無氧高導(dǎo)銅產(chǎn)品，如美國SCM金屬制品公司的Glidcop含有99．7％的銅和0．3％彌散分布的Al2O3。加入Al2O3后，熱導(dǎo)率稍有減少，為365W(m-1K-1)，電阻率略有增加，為1．85μΩ·cm，但屈服強(qiáng)度得到明顯增加。美國Sencitron公司在TO-254氣密金屬封裝中使用陶瓷絕緣子與Glidcop引線封接。

金屬封裝外殼用作封裝的底座或散熱片時，這種復(fù)合材料把熱量帶到下一級時，并不十分有效，但是在散熱方面是極為有效的。這與纖維本身的各向異性有關(guān)，纖維取向以及纖維體積分?jǐn)?shù)都會影響復(fù)合材料的性能。金屬封裝外殼壓鑄成型工藝：全壓鑄的工藝和塑料制品的生產(chǎn)流程十分相似，都是利用精密模具進(jìn)行加工，只是材質(zhì)由塑料改成了融化的金屬；CNC與壓鑄結(jié)合工藝；金屬封裝外殼編程囊括了加工的工序設(shè)定、刀具選擇，轉(zhuǎn)速設(shè)定，刀具每次進(jìn)給的距離等等。金屬封裝形式多樣、加工靈活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A轉(zhuǎn)換器)融合為一體，適合于低I／O數(shù)的單芯片和多芯片的用途，也適合于射頻、微波、光電、聲表面波和大功率器件，可以滿足小批量、高可靠性的要求。

不但包含金屬封裝的罩殼或基座、導(dǎo)線應(yīng)用的金屬材料，也包含可用以各種各樣封裝的基鋼板、熱沉和散熱器的金屬材料，為融入電子封裝發(fā)展趨勢的規(guī)定，中國進(jìn)行對金屬材料基復(fù)合材料的科學(xué)研究和應(yīng)用將是十分關(guān)鍵的。金屬封裝機(jī)殼鋁壓鑄的標(biāo)準(zhǔn)便是不奢侈浪費(fèi)，省時省力和成本費(fèi)，可是不利中后期的陽極氧化處理加工工藝，還將會留有沙孔氣痕這些危害品質(zhì)和外型的小問題，自然，生產(chǎn)商們常有一個產(chǎn)品合格率的定義，可靠的生產(chǎn)商是不容易讓這種殘品注入到后邊的生產(chǎn)制造階段中來的。因此用碳纖維(高純石墨化學(xué)纖維)提高的銅基復(fù)合材料在高功率主要用途很有力。如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。與銅復(fù)合型的原材料沿碳纖維長短方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導(dǎo)率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纖維長短方向的CTE為8×10-6K-1,熱導(dǎo)率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長度方向的熱導(dǎo)率少低一個量級。

 國內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點(diǎn)相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。另一個缺點(diǎn)是由于W的百分含量高而導(dǎo)致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費(fèi)，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當(dāng)然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。材料工作者在這些材料基礎(chǔ)上研究和開發(fā)了很多種金屬基復(fù)合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強(qiáng)體的一種復(fù)合材料。Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數(shù)值較小的物質(zhì)如Mo、W等復(fù)合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬復(fù)合材料。