模塊電源的待機(jī)功耗哪去了

開關(guān)管損耗

輸入端的MOS管Q1在待機(jī)的時(shí)候，主要體現(xiàn)的是開關(guān)損耗，所以需要降低待機(jī)時(shí)MOS管的損耗，待機(jī)的工作頻率就要降低。芯片選型的時(shí)候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。

整流管D1損耗包括開關(guān)損耗，反向恢復(fù)損耗，導(dǎo)通損耗。整流管選型時(shí)，選擇低導(dǎo)通壓降和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管，可以降低損耗。

隔離開關(guān)電源如何確定開關(guān)頻率

確定開關(guān)頻率，選擇磁芯確定變壓器

芯片的頻率可以通過外部的RC來設(shè)定，工作頻率就等于開關(guān)頻率，這個(gè)外設(shè)的功能有利于我們更好的設(shè)計(jì)開關(guān)電源，也可以采取外同步功能。在許多應(yīng)用中，數(shù)字和模擬電路共用同一電源，在這類設(shè)計(jì)中非常重要的是要對模擬和數(shù)字電路分開使用或完全隔離電源和接地回路，避免數(shù)字直流電平的變化和邏輯瞬態(tài)過程干擾到敏感的模擬電路。一般ACDC電源模塊，工作頻率不宜設(shè)成超過100kHz，主要是開關(guān)電源的頻率過高以后，不利于系統(tǒng)的穩(wěn)定性，更不利于EMC的通過性。

頻率太高，相應(yīng)的di/dtdv/dt都會增加。對于磁芯的選擇，關(guān)鍵是在開關(guān)頻率和功率的基礎(chǔ)，更多的是經(jīng)驗(yàn)選取。當(dāng)然計(jì)算的話，你需要得到更多的磁芯參數(shù)，包括磁材、居里溫度和頻率特性等等。

模塊電源設(shè)計(jì)時(shí)如何確定功率

確定功率

根據(jù)具體要求來選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如隔離開關(guān)電源模塊一般選擇反激式基本上可以滿足要求。

選擇相應(yīng)的PWMIC和MOS來進(jìn)行初步的電路原理圖設(shè)計(jì)

當(dāng)我們確定用反激式拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)計(jì)以后，我們需要選擇相應(yīng)的PWMIC和MOS來進(jìn)行初步的電路原理圖設(shè)計(jì)，可選擇分立式或是集成式設(shè)計(jì)。開關(guān)電源與模塊電源在用途和組成上的區(qū)別在用途上有什么區(qū)別：模塊電源，輸出電壓，遙控開關(guān)電路，輸入保護(hù)電路。分立式PWMIC與MOS是分開的，這種優(yōu)點(diǎn)是功率可以自由搭配，缺點(diǎn)是設(shè)計(jì)和調(diào)試的周期會變長。集成式PWMIC與MOS集成在一個(gè)封裝里，省去設(shè)計(jì)者很多的計(jì)算和調(diào)試分步，適合剛?cè)腴T或快速開發(fā)的工程師。