烘烤，將鍍件烘烤加熱到所需溫度。(5)離子轟擊，真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負高壓，離擊時間為5min～30min,(6)預(yù)熔，調(diào)整電流使鍍料預(yù)熔，調(diào)整電流使鍍料預(yù)熔，除氣1min～2min。(7)蒸發(fā)沉積，根據(jù)要求調(diào)整蒸發(fā)電流，直到所需沉積時間結(jié)束。(8)冷卻，鍍件在真空室內(nèi)冷卻到一定溫度。(9)出爐，．取件后，關(guān)閉真空室，抽真空至l×l0-1Pa，擴散泵冷卻到允許溫度，才可關(guān)閉維持泵和冷卻水。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

離子鍍在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，并在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下，將蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物沉積在基片上的方法。其中包括磁控濺射離子鍍、反應(yīng)離子鍍、空心陰極放電離子鍍（空心陰極蒸鍍法）、多弧離子鍍（陰極電弧離子鍍）等。真空鍍的基本流程如下方框圖：真空鍍由于是氣象沉積，一般能噴涂的塑膠材料都能實現(xiàn)真空鍍，如ABS,P,PMMA，PET,PS等。真空鍍表面顏色不受限制，通過鍍不同的金屬體現(xiàn)不同的顏色，還以做五顏六色的彩鍍，舉例如下銀色，可鍍鉻，鋁，鎳等來實現(xiàn)金色，可鍍金，鈦的氮化物與金合金，黑色與槍色，鍍鈦與碳的化合物局部電鍍方便，真空鍍可以利用夾具來遮擋不需要電鍍的區(qū)域。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備主要用于在經(jīng)予處理的塑料、陶瓷等制品表面蒸鍍金屬薄膜(鍍鋁、鉻、錫、不銹鋼等金屬)、七彩薄仿金膜等，從而獲得光亮、美觀、;價廉的塑料，陶瓷表面金屬化制品。廣泛應(yīng)用于汽車、摩托車燈具、工藝美術(shù)、裝潢裝飾、燈具、家具、玩具、酒瓶蓋、化妝品、手機、鬧鐘、女式鞋后跟等領(lǐng)域。.數(shù)控刀具PVD涂層技術(shù)PVD技術(shù)出現(xiàn)于，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數(shù)、很好的耐磨性和化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點。zui初在高速鋼dao具領(lǐng)域的成功應(yīng)用引起了世界各國制造業(yè)的高度重視，人們在開發(fā)gao性能、高可靠性涂層設(shè)備的同時，也在硬質(zhì)合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的涂層應(yīng)用研究。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

在信息存儲領(lǐng)域中薄膜材料作為信息記錄于存儲介質(zhì)，有其得天獨厚的優(yōu)勢：由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息，必然要采用鍍膜技術(shù)。13.在傳感器方面在傳感器中，多采用那些電氣性質(zhì)相對于物理量、化學(xué)量及其變化來說，極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外，其中，大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì)，需要盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低價格制作，因此，采用薄膜的情況很多。14.在集成電路制造中晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等，多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢?，氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制