導(dǎo)致靶面各單元的電阻值不同。如果入射光強(qiáng)度太高，導(dǎo)致器件內(nèi)電流太大，以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解，就會(huì)造成光電倍增管的永1久性波壞。與較亮像素對(duì)應(yīng)的靶單元阻值較小，與較暗像素對(duì)應(yīng)的靶單元阻值較大，這樣一幅圖像上各像素的不同亮度就表現(xiàn)為靶面上各單元的不同電阻值，原來按照明暗分布的“光像”就變成了相應(yīng)的“電像”。從電子槍陰極發(fā)出的電子，在電子槍電場(chǎng)作用下高速射向靶面，并在偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)作用下按照掃描規(guī)律掃過靶面上的各個(gè)單元。當(dāng)電子束接觸到靶面某個(gè)單元時(shí)，使陰極、光電靶、負(fù)載電阻RL及電源E構(gòu)成一個(gè)回路。

在負(fù)載RL中有電流流過，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。從電子槍陰極發(fā)出的電子，在電子槍電場(chǎng)作用下高速射向靶面，并在偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)作用下按照掃描規(guī)律掃過靶面上的各個(gè)單元。光照強(qiáng)處對(duì)應(yīng)阻值較小，流過負(fù)載RL的電流就較大，因而RL兩端產(chǎn)生的壓降也就較大。負(fù)載電阻RL上形成電壓就是攝像管輸出的圖像信號(hào)。光電轉(zhuǎn)換過程（圖像的攝取過程）：被攝景物通過攝像機(jī)的光學(xué)鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時(shí)把各個(gè)像素的亮度轉(zhuǎn)變?yōu)樵谪?fù)載電阻RL上大小不同的電壓降，從而形成攝像管輸出信號(hào)。

應(yīng)用隨著傳統(tǒng)燃料能源的減少以及對(duì)環(huán)境造成的危害也越來越嚴(yán)重 ,能源問題日益成為制約國(guó)際社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸，越來越多的國(guó)家制定了大力發(fā)展太陽能的計(jì)劃。二、光伏打器件----硅光電池半導(dǎo)體PN結(jié)在受到光照射時(shí)能產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的效應(yīng)，叫光伏打效應(yīng)。例如，美國(guó)的“ 光伏建筑計(jì)劃”、歐洲的“百萬屋頂光伏計(jì)劃” ，日本的“朝日計(jì)劃 ” ，以及我國(guó)發(fā)展的“光明工程 ”等都極大地促進(jìn)了太陽能的發(fā)展。當(dāng)前太陽能電池產(chǎn)品類型主要有單晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半導(dǎo)體和疊層太陽能電池等，主要應(yīng)用在以下領(lǐng)域。