IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。2、它的輸出電流是恒定的,理想的電路是無論LED的特性曲線怎么變化,驅(qū)動(dòng)電源的電流保持不變。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級(jí)的漏電流流過，基本上不消耗功率。液晶顯示器的分辨率越來越高，這就意味著掃描列數(shù)的增加，GateDriverIC必須不斷提高開關(guān)頻率，SourceDriverIC必須不斷提高掃描頻率。

半橋全橋驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么？

半橋全橋復(fù)的驅(qū)動(dòng)電路是使功率管產(chǎn)生交流制電的觸發(fā)信號(hào)，并不是將交流信號(hào)變直流信號(hào)。百即使單片度機(jī)可以輸出直流信號(hào)，但是它問的驅(qū)動(dòng)能力也是有限的，所以單片機(jī)一般做驅(qū)動(dòng)答信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管，來產(chǎn)生大電流從而才能驅(qū)動(dòng)電機(jī)。

瑞泰威主營業(yè)務(wù)為:驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、觸摸IC等電子元器件產(chǎn)品，產(chǎn)品型號(hào)齊全，能夠滿足您不同性能需求的電子元器件產(chǎn)品。生產(chǎn)之后，經(jīng)過嚴(yán)密測試分析流程才出貨，保持和提高產(chǎn)品可靠性，月出貨量100萬PCS。

新型LED驅(qū)動(dòng)器IC介紹

在汽車市場上，由于LED燈壽命長、安裝密度高，因而越來越多的車燈都采用LED燈。傳統(tǒng)的車載LED燈通過在模塊化基板上，組合大量電子元件，以支持各種設(shè)計(jì)和功能。近年來除了設(shè)計(jì)之外，人們對(duì)LED燈可維護(hù)性性能提升的要求也越來越高。在《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第2部分：標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)范性技術(shù)要素內(nèi)容的確定方法》的”5．4．3由供方確定的數(shù)值“中提及：“如果允許產(chǎn)品存在多樣化，則產(chǎn)品的某些特性值可不必做出規(guī)定（盡管這些特性對(duì)產(chǎn)品的性能有明顯的影響）”。插座式LED燈可像LED燈泡一樣，很容易被更換，可維護(hù)性性能很優(yōu)越，因而備受關(guān)注。但是，很難減小插座的大小，導(dǎo)致設(shè)計(jì)靈活性被降低。瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

為解決該問題，羅姆研發(fā)了新型LED驅(qū)動(dòng)器IC，能夠安裝在超緊湊的插座型LED燈電路內(nèi)，即使在電池電壓下降的情況下，仍可確保穩(wěn)定的照明。

無線充電芯片組成

從結(jié)構(gòu)上看，無線充電發(fā)射端芯片主要由驅(qū)動(dòng)芯片、MOS芯片和主芯片三部分組成。單片機(jī)方案下，控制芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、運(yùn)放全部獨(dú)立，外圍元件也相當(dāng)多，總而言之，非常復(fù)雜，元器件太多。實(shí)際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅(qū)動(dòng)電路才能使MOS管工作在低導(dǎo)通損耗的開關(guān)狀態(tài)。原材料品種繁多，生產(chǎn)試驗(yàn)流程復(fù)雜，不利于產(chǎn)品的快速開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

即Systemonachip，它是指在一塊芯片上集成一個(gè)完整系統(tǒng)。當(dāng)前對(duì)SoC方案的一些比較常見的定義是：SoC即主控制和驅(qū)動(dòng)集成。由于對(duì)于單相反電動(dòng)勢波形圖，反電動(dòng)勢過零點(diǎn)30°處對(duì)應(yīng)繞組的換向信號(hào)，找出反電動(dòng)勢過零點(diǎn)，即反電動(dòng)勢檢測的任務(wù)〔2〕。但是也有聲音表示這種說法并不準(zhǔn)確，主控、驅(qū)動(dòng)、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定義，暫且先以種表述為準(zhǔn)。