磁控濺射鍍膜機

目前認為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結果，濺射完全是動能的交換過程。當正離子轟擊陰極靶，入射離子當初撞擊靶表面上的原子時，產(chǎn)生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內(nèi)部原子傳遞，經(jīng)過一系列的級聯(lián)碰撞過程，當其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。

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鍍膜設備原理及工藝

主要濺射方式：

反應濺射是在濺射的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應氣體,通常用作反應氣體的主要是氧氣和氮氣。

直流濺射(DC Magnetron1 Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron1 Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)

直流濺射方法用于被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中,其工藝設備簡單,有較高的濺射速率。

中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術還應用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統(tǒng)中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端,分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動態(tài)靶，其中以旋轉磁場圓柱靶工業(yè)上被廣泛應用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。孿生靶濺射技術大大提高磁控濺射運行的穩(wěn)定性,可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎。

連續(xù)式的磁控濺射生產(chǎn)線 總體上可以分為三個部分: 前處理, 濺射鍍膜, 后處理。

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磁控濺射鍍膜機的注意事項

1、保持機器內(nèi)艙各部位的清潔；

2、關注真空度指標；

3、檢查并記錄抽真空的時間，如有延長，立刻檢查造成的原因；

4、記錄濺射功率和時間（一般濺射機的銀靶設定功率為0.6千瓦，金靶的設定功率為0.75千瓦，鉻的行走速率為9000pps），如有異常，立刻檢查造成的原因；

5、根據(jù)鍍出石英振子的散差，調(diào)整遮擋板的各部尺寸；

6、濺鍍后的石英振子要用3M膠帶檢查其牢固度；

7、測試并記錄鍍好的石英振子主要指標，如：頻率、電阻、DLD等；

8、將不良品挑出：電極錯位、劃傷、臟污、掉銀等（工位上要有不良品示意圖）。

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