光刻膠國(guó)際化發(fā)展

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，按照現(xiàn)在“單打獨(dú)斗”的研發(fā)路徑，肯定不行。雖然在甩膠之后，液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。政府相關(guān)部門(mén)要加大產(chǎn)業(yè)政策的配套支持力度，應(yīng)從加快完善整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)，定向梳理國(guó)內(nèi)缺失的、產(chǎn)業(yè)依賴(lài)度高的關(guān)鍵核心電子化學(xué)品，要針對(duì)電子化學(xué)品開(kāi)發(fā)難度高，檢測(cè)設(shè)備要求高的特點(diǎn)，組織匯聚一些優(yōu)勢(shì)企業(yè)和專(zhuān)家，形成一個(gè)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，國(guó)家建立一個(gè)生產(chǎn)應(yīng)用示范平臺(tái)，集中力量突破一些關(guān)鍵技術(shù)。

江蘇博硯電子科技有限公司董事長(zhǎng)宗健表示，光刻膠要真正實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，難度很大。光刻膠基于應(yīng)用領(lǐng)域不同一般可以分為半導(dǎo)體集成電路（IC）光刻膠、PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個(gè)大類(lèi)。問(wèn)題是國(guó)內(nèi)缺乏生產(chǎn)光刻膠所需的原材料，致使現(xiàn)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品碳分散工藝不成熟、碳漿材料不配套。而作為生產(chǎn)光刻膠重要的色漿，至今依賴(lài)日本。前道工藝出了問(wèn)題，保證不了科研與生產(chǎn)，光刻膠國(guó)產(chǎn)化就遙遙無(wú)期。因此，必須通過(guò)科研單位、生產(chǎn)企業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新，盡快取得突破。

有專(zhuān)家提出，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠在面板一時(shí)用不起來(lái)，但政府還是要從政策上鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)普通面板的生產(chǎn)企業(yè)盡快用起來(lái)。光刻膠工藝普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。只有在應(yīng)用過(guò)程中才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，解決問(wèn)題，不斷提升技術(shù)、工藝與產(chǎn)品水平，實(shí)現(xiàn)我國(guó)關(guān)鍵電子化學(xué)品材料的國(guó)產(chǎn)化，完善我國(guó)集成電路的產(chǎn)業(yè)鏈，滿(mǎn)足國(guó)家和重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的需求。

NR9-3000PYNR75 1000HP光刻膠廠(chǎng)家

三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。5-1um，3,前烘，通過(guò)在較高溫度下進(jìn)行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā)，溶劑將至5%左右，同時(shí)增強(qiáng)與襯底的粘附性。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過(guò)程，一薄層的對(duì)紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物，即通常所說(shuō)的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面，(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺(tái)上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動(dòng)。

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線(xiàn)寬的重復(fù)性和接下去的顯影時(shí)間，同一個(gè)樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過(guò)±5nm(對(duì)于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線(xiàn)條的及間隙的微細(xì)程度。據(jù)悉，經(jīng)過(guò)項(xiàng)目組全體成員的努力攻關(guān)，完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計(jì)、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實(shí)驗(yàn)室光刻膠性能的初步評(píng)價(jià)裝備的研發(fā)，達(dá)到了任務(wù)書(shū)中規(guī)定的材料和裝備的考核指標(biāo)。太厚膠會(huì)導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對(duì)于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時(shí)希望1cm量級(jí)。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。

在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿(mǎn)足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點(diǎn)是粘結(jié)能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡(jiǎn)單的圖形翻轉(zhuǎn)。光刻光路的設(shè)計(jì)，有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0。因?yàn)橛醚谀ぐ婧蛢煞N不同光刻膠結(jié)合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周?chē)难苌湫?yīng)，使得用負(fù)膠和亮場(chǎng)掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場(chǎng)掩膜版組合會(huì)使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

光刻膠

光增感劑

是引發(fā)助劑，能吸收光能并轉(zhuǎn)移給光引發(fā)劑，或本身不吸收光能但協(xié)同參與光化學(xué)反應(yīng)，起到提高引發(fā)效率的作用。

光致產(chǎn)酸劑

吸收光能生成酸性物質(zhì)并使曝光區(qū)域發(fā)生酸解反應(yīng)，用于化學(xué)增幅型光刻膠。

助劑

根據(jù)不同的用途添加的顏料、固化劑、分散劑等調(diào)節(jié)性能的添加劑。

主要技術(shù)參數(shù)

分辨率（resolution）

是指光刻膠可再現(xiàn)圖形的小尺寸。一般用關(guān)鍵尺寸來(lái)（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。