脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長(zhǎng)室，進(jìn)樣室可選水平、垂直兩種靶臺(tái)可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺(tái)可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達(dá)100Pa可預(yù)留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。如果您對(duì)脈沖激光沉積感興趣，歡迎點(diǎn)擊左右兩側(cè)的在線客服，或撥打咨詢電話。

脈沖激光沉積系統(tǒng)特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術(shù)支持；靶臺(tái)可以安裝6個(gè)靶位，靶材更換靈活；樣品臺(tái)樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進(jìn)樣室可以存儲(chǔ)多個(gè)靶和樣品；交易過(guò)程無(wú)需繁瑣的進(jìn)、出關(guān)手續(xù), 交貨期短，性價(jià)比高；

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脈沖激光沉積原理

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脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對(duì)靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來(lái)，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統(tǒng)介紹

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無(wú)規(guī)取向的基片或無(wú)定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開(kāi)發(fā)了離子輔助的PLD 系統(tǒng)，該系統(tǒng)將PLD 在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢(shì)與IBAD 能力結(jié)合在一起。

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