PLD450型脈沖激光鍍膜介紹

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技術指標：

極限真空度：≤6.7×10 Pa　　

恢復真空時間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　

系統(tǒng)漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　

真空室：Ф450球型真空室 ，　　

基片尺寸：可放置4″可實現(xiàn)公轉換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉，轉速5-60轉/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調?！　?

二維掃描機械平臺，執(zhí)行兩自由度掃描,控制的內容主要有公轉換靶、靶自轉、樣品自轉、樣品控溫、激光束掃,

質量流量控制器1路　　

烘烤溫度：150℃數(shù)顯自動熱偶控溫（高溫爐盤，數(shù)顯自動熱偶控溫可加熱到800℃）

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達100Pa可預留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。智能視窗不僅可準確監(jiān)視沉積過程中的靶材激光注入量（OTLF），而且可長時間保持激光束光路的清潔6。

脈沖激光沉積系統(tǒng)的特點有哪些？

?  超高真空不銹鋼腔體

?  可集成熱蒸發(fā)源或濺射源

?  可旋轉的耐氧化基片加熱臺

?  流量計或針閥準確控制氣體流量

?  標準真空計?  干泵與分子泵

?  可選配不銹鋼快速進樣室

?  可選配基片-靶材距離自動控制系統(tǒng)

?  是金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬納米薄膜、多層膜、超晶格的較佳設備

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脈沖激光沉積的原理

脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

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