【廣告】
相比MoO3,加入鉬質(zhì)量濃度相同的Na2MoO4所得膜層耐蝕性更佳,在添加0.42g/L Na2MoO4時(shí)制得膜層其腐蝕電流密度比無(wú)添加劑時(shí)的低約7倍,比基體的低約1個(gè)數(shù)量級(jí)。故加入Na2MoO4的價(jià)比更高。
此外,這2種添加劑的加入,均可在AZ91D鎂合金表面制得淺棕色的膜層,起顯色作用的物質(zhì)是MoO2。
用正交試驗(yàn)法,對(duì)影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo),以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計(jì),并開(kāi)展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對(duì)正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀(guān)察;利用Image J軟件對(duì)陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測(cè)量。
結(jié)果表明:影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為:正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。