晶圓級(jí)封裝實(shí)驗(yàn)

很多實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)，鈍化層或底層、濕氣滲透和/或裸片邊緣離層是晶圓級(jí)封裝常見的熱機(jī)械失效模式。此外，裸片邊緣是一個(gè)特別敏感的區(qū)域，我們必須給予更多的關(guān)注。事實(shí)上，扇入型封裝裸片是暴露于空氣中的（裸片周圍沒(méi)有模壓復(fù)合物覆蓋），容易被化學(xué)物質(zhì)污染或發(fā)生現(xiàn)象。所涉及的原因很多，例如晶圓切割工序未經(jīng)優(yōu)化，密封環(huán)結(jié)構(gòu)缺陷(密封環(huán)是指裸片四周的金屬花紋，起到機(jī)械和化學(xué)防護(hù)作用)。此外，由于焊球非?？拷g化層，焊球工序與線路后端?？赡軙?huì)相互影響。

封裝測(cè)試的行業(yè)技術(shù)

集成電路封裝測(cè)試屬于技術(shù)密集型行業(yè)，行業(yè)創(chuàng)新主要體現(xiàn)為生產(chǎn)工藝的創(chuàng)新，技術(shù)水平主要體現(xiàn)為產(chǎn)品封裝加工的工藝水平。氣派科技目前走的還是傳統(tǒng)封裝技術(shù)路線，降低成本可以說(shuō)是非常重要了。由于封測(cè)是半導(dǎo)體制造的后道工序，所以并非是產(chǎn)業(yè)鏈的核心。其技術(shù)可分為傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝，氣派科技，采用的是傳統(tǒng)封裝技術(shù)。

封裝技術(shù)的運(yùn)用：

封裝不僅僅是制造過(guò)程的后一步，它正在成為產(chǎn)品創(chuàng)新的催化劑。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠集成多種制程工藝的計(jì)算引擎，實(shí)現(xiàn)類似于單晶片的性能，但其平臺(tái)范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)單晶片集成的晶片尺寸限制。這些技術(shù)將大大提高產(chǎn)品級(jí)性能和功效，縮小面積，同時(shí)對(duì)系統(tǒng)架構(gòu)進(jìn)行改造。隨著電子行業(yè)正在邁向以數(shù)據(jù)為中心的時(shí)代，先進(jìn)封裝將比過(guò)去發(fā)揮更重大的作用。

微通孔分離

隨著電子器件中的間距越來(lái)越小，微通孔技術(shù)在PCB中的應(yīng)用呈式增長(zhǎng)。微孔堆疊多達(dá)三或四層高已經(jīng)變得非常普遍。然而，如果這些設(shè)計(jì)沒(méi)有使用正確的材料和幾何形狀，微孔可能會(huì)經(jīng)歷意想不到的開裂和分層。熱-機(jī)械應(yīng)力、水分、振動(dòng)和其他應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致微孔的分離，以及與電鍍通孔(PTH)頂部或底部的銅跡線的分層。Sherlock分析這些問(wèn)題區(qū)域，會(huì)考慮回流和/或操作過(guò)程中的超應(yīng)力條件，并可以預(yù)測(cè)疲勞何時(shí)會(huì)導(dǎo)致過(guò)孔或貫穿孔、通孔、路由層和凸點(diǎn)下金屬層(UBM)接點(diǎn)之間的互連故障。