單體3，4-乙撐二氧噻吩(EDOT)的合成情況

J、D、Stenger-Smith et．a(chǎn)ll于1998年采用下述方法合成了EDOT。而通過對PEDOT/PSS進(jìn)行修飾，又可以提高電極的穩(wěn)定性進(jìn)而提高器件的性能。反應(yīng)從l代二甘酸(HOOCH –s-CH COOH)開始，通過一系列的步驟合成2，5-二羧酸-3、4-乙撐二氧噻吩，然后通過催化劑脫羧而制成了3、4-乙撐二氧噻吩

該合成法產(chǎn)率低，成本高。改進(jìn)或找到一種新的合成方法以提高EDOT的產(chǎn)率、降低生產(chǎn)成本是當(dāng)前科研工作者的主要任務(wù)。筆者在合成EDOT的過程中對該方法進(jìn)行了一些改進(jìn)，如引入相轉(zhuǎn)移催化劑和沸石分子篩，提高了EDOT的產(chǎn)率。

光電材料，

高分子導(dǎo)電化合物，用作電極材料，抗靜電劑，光電轉(zhuǎn)化材料等。

高導(dǎo)電透明涂層：PEDOT/PSS的透明性很好，涂層對可見光有良好的透過率，可形成透明無色至藍(lán)色的涂層，透明薄膜的導(dǎo)電性可高達(dá)約1000S/cm。

印刷線路板：用于直接金屬化工藝中，可進(jìn)行凸版印刷，噴墨印刷，網(wǎng)版印刷等。

厚膜電致發(fā)光：可經(jīng)絲網(wǎng)印刷，制得透明電極，例如可用于厚膜電致發(fā)光。

有機(jī)薄膜晶體管：可用于快速發(fā)展的有機(jī)半導(dǎo)體領(lǐng)域中，作為源電極、柵電極和漏電極。隨著科技的發(fā)展應(yīng)用領(lǐng)域和深度還在迅速擴(kuò)展。

外量子效率結(jié)果說明，在400nm–1000nm波段，相較于平板結(jié)構(gòu)Si/PEDOT:PSS太陽電池，柔性微米金字塔狀Si/PEDOT:PSS太陽電池具有更強(qiáng)的光子捕獲能力。高分子導(dǎo)電聚合物聚3,4-乙撐二氧s吩（PEDOT）因其高導(dǎo)電性、對電解質(zhì)的催化能力、透明性和柔性等特點(diǎn)受到廣泛關(guān)注，成為DSSC對電極材料研究的熱點(diǎn)。而電化學(xué)阻抗譜進(jìn)一步表明，后者具有更小的串聯(lián)電阻和更大的復(fù)合電阻，從而，導(dǎo)致后者的光電轉(zhuǎn)化效率較高。此外，經(jīng)過600次的機(jī)械彎折測試后，柔性微米金字塔狀Si/PEDOT:PSS太陽電池呈現(xiàn)很好的光伏穩(wěn)定性。此為柔性Si/PEDOT:PSS雜化太陽電池在下一代便攜式電子設(shè)備的實(shí)際應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。