離子屬刻蝕機(jī)的注意事項(xiàng)

創(chuàng)世威納——專業(yè)離子束刻蝕機(jī)供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

#.在設(shè)備工作時(shí),禁止扶、靠設(shè)備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發(fā)生意外

#.高頻電源實(shí)際使用功率不能超過(guò)較大限制#.檢查設(shè)備時(shí)，必須關(guān)機(jī)后切斷電源

#. 工作場(chǎng)地必須保持清潔、干燥，設(shè)備上及設(shè)備周圍不得放置無(wú)關(guān)物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長(zhǎng)期停放時(shí)注意防潮，拆除電源進(jìn)線，每隔3-5天開(kāi)一次機(jī)，保證反應(yīng)室真空以免被污 染

#.設(shè)備停機(jī)、過(guò)夜也要保持反應(yīng)室真空，如停機(jī)較長(zhǎng)時(shí)間后再進(jìn)行刻蝕工藝，需先進(jìn)行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

刻蝕技術(shù)

由于曝光束不同，刻蝕技術(shù)可以分為光刻蝕（簡(jiǎn)稱光刻）、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕，其中離子束刻蝕具有分辨率高和感光速度快的優(yōu)點(diǎn)，是正在開(kāi)發(fā)中的新型技術(shù)。

北京創(chuàng)世威納以誠(chéng)信為首 ,服務(wù)至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售離子束刻蝕機(jī),公司擁有強(qiáng)大的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營(yíng)理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！

刻蝕工藝過(guò)程

以下內(nèi)容由創(chuàng)世威納為您提供，今天我們來(lái)分享刻蝕工藝過(guò)程的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助！

等離子體刻蝕工藝包括以下六個(gè)步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素； 擴(kuò)散： 這些元素?cái)U(kuò)散并吸附到硅片表面； 表面擴(kuò)散：到達(dá)表面后， 四處移動(dòng)； 反應(yīng)： 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸： 反應(yīng)的生成物解吸， 離開(kāi)硅片表面； 排放： 排放出反應(yīng)腔。

離子束刻蝕機(jī)

離子束分析具有一定能量的離子與物質(zhì)相互作用會(huì)使其發(fā)射電子、光子、X射線等，還可能發(fā)生彈性散射、非彈性散射以及核反應(yīng)，產(chǎn)生反彈離子、反沖核、γ射線、氫核、氚核、粒子等核反應(yīng)產(chǎn)物，可以提供有關(guān)該物質(zhì)的組分、結(jié)構(gòu)和狀態(tài)等信息。利用這些信息來(lái)分析樣品統(tǒng)稱離子束分析。在離子束分析方法中，比較成熟的有背散射分析X射線熒光分析、核反應(yīng)分析和溝道效應(yīng)（見(jiàn)溝道效應(yīng)和阻塞效應(yīng)）與其他分析相結(jié)合的分析方法等。此外，利用低能離子束還可作表面成分分析,如離子散射譜(ZSS)、次級(jí)離子質(zhì)譜(SZMS)等。超靈敏質(zhì)譜（質(zhì)譜）、帶電粒子活化分析、離子激發(fā)光譜、離子激發(fā)俄歇電子譜等正在發(fā)展中。用于離子束分析的MV級(jí)已有專門的商業(yè)化設(shè)備。