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大族科瑞達(dá)鈥激光設(shè)備常見型號(hào)有：HANS-H30；保護(hù)光纖鏈接頭的鏡面：術(shù)后停機(jī)取消光纖，立即蓋緊光纖保護(hù)帽，在再次使用前，不再取下保護(hù)帽。 HANS-H40； HANS-H55；    HANS-H65； HANS-H75； HANS-H85,  1大輸出平均功率：30W-85W，1大單脈沖能量：3.0J-5.0J，1大重復(fù)頻率:30Hz-50Hz，脈沖寬度:250us-800us,冷卻系統(tǒng)：封循環(huán)水冷，電源:220V 50Hz 。

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IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因

IGBT在使用過程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊，承受過負(fù)荷甚至負(fù)載短路等，可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因主要有以下情況——過電壓損壞和靜電損壞

IGBT在關(guān)斷時(shí)，由于逆變電路中存在電感成分，關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT器件的1高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發(fā)射極過電壓、高du/dt過壓電等。檢測(cè)結(jié)果：經(jīng)檢測(cè)確定問題為光路偏移由于院方長(zhǎng)期使用劣質(zhì)光纖導(dǎo)致光纖損壞，機(jī)器損傷。大多數(shù)過電壓保護(hù)的電路設(shè)計(jì)都比較完善，但是對(duì)于由高du/dt所導(dǎo)致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結(jié)構(gòu)吸收電路。由于吸收電路設(shè)計(jì)的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對(duì)此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制，當(dāng)集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時(shí)，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應(yīng)起作用），避免了IGBT因受集電極發(fā)射極過電壓而損壞。

采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發(fā)射極瞬間過電壓?jiǎn)栴}，但是它的弊端是當(dāng)IGBT處于感性負(fù)載運(yùn)行時(shí)，半橋結(jié)構(gòu)中處于關(guān)斷的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管（續(xù)流二極管）的恢復(fù)，其集電極-發(fā)射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數(shù)情況下，該du/dt值要比IGBT正常關(guān)斷時(shí)的集電極-發(fā)射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個(gè)瞬間電流，流向柵極驅(qū)動(dòng)電路。粒子數(shù)反轉(zhuǎn)（激光產(chǎn)生的基本條件）在通常情況下，處于低能級(jí)E1的原子數(shù)大于處于高能級(jí)E2的原子數(shù)，這種情況得不到激光。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導(dǎo)致柵極-發(fā)射極電壓UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現(xiàn)惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)致變換器的橋臂短路。

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欣貝—大族科瑞達(dá)鈥激光維修/鈥激光設(shè)備維修

設(shè)備名稱：大族鈥激光

故障現(xiàn)象：功率達(dá)不到使用功率

檢測(cè)結(jié)果：其中一路激光發(fā)1射器不工作

解決方案：激光器光耦虛焊脫落重新加工后正常使用