電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

擴(kuò)散工藝

擴(kuò)散目的

在來(lái)料硅片 P 型硅片的基礎(chǔ)上擴(kuò)散一層 N 型磷源，形成 PN 結(jié)。

擴(kuò)散原理

POCl 3 在高溫下 （ > 600 ℃ ） 分解生成五氯化磷 （ PCl 5 ） 和五氧化二磷 （ P 2 O 5 ）， 其反應(yīng)式如下 ：

5POCl 3=3PCl 5 P 2 O 5

生成的 P 2 O 5 在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng) ， 生成二氧化硅 （ SiO 2 ） 和磷原子 ， 其反應(yīng)式如下 ：

2P 2 O 5 5Si = 5SiO 2   4PPOCl 3

熱分解時(shí)，如果沒(méi)有外來(lái)的氧（ O 2 ）參與其分解是不充分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來(lái) O2 存在的情況下， PCl 5 會(huì)進(jìn)一步分解成 P2O 5 并放出氯氣（ Cl 2 ）其反應(yīng)式如下：  

4PCl 5 5O 2=2P 2 O 5 10Cl 2  

生成的 P 2 O 5 又進(jìn)一步與硅作用，生成 SiO 2 和磷原子，由此可見(jiàn)，在磷擴(kuò)散時(shí)，為了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 對(duì)硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。就這樣 POCl 3 分解產(chǎn)生的 P 2 O 5 淀積在硅片表面， P 2O 5 與硅反應(yīng)生成 SiO 2 和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散。

2. 短路電流

在一定的溫度和輻照條件下，太陽(yáng)電池在端電壓為零時(shí)的輸出電流，通常用 I sc 來(lái)表示。

將 PN 結(jié)短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，這時(shí)所得的電流為短路電流 Isc ，顯然有： I sc =  I L   ， I sc 與太陽(yáng)電池的面積大小有關(guān)，面積越大，   I sc 越大。 I sc 與入射光的輻照度成正比。

3. 功率點(diǎn)

在太陽(yáng)電池的伏安特性曲線上對(duì)應(yīng)大功率的點(diǎn)，又稱佳工作點(diǎn)。

4. 工作電壓

太陽(yáng)電池伏安特性曲線上大功率點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電壓。通常用 V m 表示

5. 工作電流

太陽(yáng)電池伏安特性曲線上大功率點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電流。通常用 I m 表示

6. 轉(zhuǎn)換效率

受光照太陽(yáng)電池的大功率與入射到該太陽(yáng)電池上的全部輻射功率的百分比。   η = V m  I m  / A t

P in 其中 V m 和 I m 分別為大輸出功率點(diǎn)的電壓和電流， A t 為太陽(yáng)電池的總面積， P in 為單位面積太陽(yáng)入射光的功率。

7. 填充因子

太陽(yáng)電池的大功率與開(kāi)路電壓和短路電流乘積之比，通常用 FF 表示：   FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太陽(yáng)電池的極限輸出功率， I m V m 是太陽(yáng)電池的大輸出功率，填充因子是表征太陽(yáng)電池性能優(yōu)劣的一個(gè)重要參數(shù)。

8. 電流溫度系數(shù)

在規(guī)定的試驗(yàn)條件下，被測(cè)太陽(yáng)電池溫度每變化 1 0 C   ，太陽(yáng)電池短路電流的變化值，通常用 α 表示。對(duì)于一般晶體硅電池   α = 0.1%/ 0 C 。

9. 電壓溫度系數(shù)

在規(guī)定的試驗(yàn)條件下，被測(cè)太陽(yáng)電池溫度每變化 1 0 C   ，太陽(yáng)電池開(kāi)路電壓的變化值，通常用 β 表示。對(duì)于一般晶體硅電池   β  = - 0.38%/ 0 C 。    

電池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽(yáng)能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對(duì)硅片的來(lái)料檢測(cè)，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會(huì)厚薄不均，放片時(shí)需 180 度錯(cuò)落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會(huì)有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時(shí)需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對(duì)表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會(huì)影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問(wèn)題制絨過(guò)程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時(shí)間為兩小時(shí)，兩小時(shí)內(nèi)要及時(shí)送入下一工序。

電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)

電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)

5  設(shè)備  

對(duì)設(shè)備的要求有如下 3 點(diǎn)：  

（ 1 ）工作臺(tái)的平面度。印刷時(shí)電池片被吸附于工作臺(tái)表面，如表面不平，在負(fù)壓下電池片易裂，以 150mm 電池片為例，工作臺(tái)的平面度不大于 0.02mm ；  

（ 2 ）工作臺(tái)重復(fù)定位精度。根據(jù)太陽(yáng)能電池片的精度要求，工作臺(tái)重復(fù)定位精度達(dá)到 0.01mm 即能滿足工藝要求；  

（ 3 ）印刷時(shí)絲網(wǎng)與工作臺(tái)的平行度決定印刷膜厚度的一致性，根據(jù)使用要求，以 150mm 電池片為例二者平行度 0.04mm 。

電池片的平面度不大于 0.02mm ，表面粗糙度低于 1.6 。  

6  結(jié)束語(yǔ)  

    太陽(yáng)能電池印刷是電池片生產(chǎn)線的重要工序，對(duì)電池片的質(zhì)量起著重要作用，太陽(yáng)能電池印刷技術(shù)是一個(gè)有機(jī)的整體，是各種技術(shù)的組合，需要工藝工程師和設(shè)備工程師的協(xié)同工作：既要了解各個(gè)參數(shù)的特點(diǎn)，又要了解其相互的制約關(guān)系； 3 種印刷工序既有相同之處又有區(qū)別，需要針對(duì)不同工序的具體要求分。