例如ESD 雷擊等，一定要打到產(chǎn)品損壞為止，并做好相關(guān)記錄，看產(chǎn)品余量有多少，做到心中有數(shù) 28.電路設(shè)計(jì)，異常測(cè)試時(shí)，短路開(kāi)路某個(gè)元件如果還有輸出電壓則要進(jìn)行LPS測(cè)試，過(guò)流點(diǎn)不能超過(guò)8A。 超過(guò)8A是不能申請(qǐng)LPS的 29.安規(guī)開(kāi)殼樣機(jī)，所有可選插件元件要裝上供拍照用，L、N線和DC線與PCB要點(diǎn)白膠固定。 這個(gè)是經(jīng)常犯的一個(gè)毛病，經(jīng)常一股勁的把樣品送到第三方機(jī)構(gòu)，后面來(lái)來(lái)回回改來(lái)改去的 30.電路調(diào)試，冷機(jī)時(shí)PSR需1.15倍電流能開(kāi)機(jī)，SSR需1.3倍電流能開(kāi)機(jī)，避免老化后啟動(dòng)不良 PSR現(xiàn)在很多芯片都可以實(shí)現(xiàn)“零恢復(fù)”O(jiān)CP電流，比如ME8327N，具有“零恢復(fù)”O(jiān)CP電流功能


圖一b（230Vac） 圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測(cè)試時(shí)，65M和83M位置有點(diǎn)頂線（紅色線）圖一b-1（230Vac） 原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來(lái)一點(diǎn)，后面還是有點(diǎn)高，如圖一b-1所示； 圖一b-2（230Vac） 變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2； 圖一b-3（115Vac） 115Vac輸入測(cè)試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火啊！看來(lái)這招不行； 圖一b-4（115Vac） 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯(cuò)，如圖一b-4所示。 圖一b-5（230Vac） 115Vac輸入測(cè)試，測(cè)試通過(guò)。結(jié)論：一：變壓器出線需做到不交叉；二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過(guò)變壓器地再回到大電容地，不與其它信號(hào)線交叉；


在安規(guī)認(rèn)證，變壓器溫度超了2度左右時(shí)，可以用這個(gè)方法 57.跳線旁邊有高壓元件時(shí)，應(yīng)要保持安全距離，特別是容易活動(dòng)或歪斜的元件。 保證產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)的穩(wěn)定性 58.輸出大電解底部不得已要走跳線時(shí)，跳線應(yīng)是低壓或是地線，為防止過(guò)波峰焊電容，一般加套管。 設(shè)計(jì)的時(shí)候盡量避免電容底部走跳線，因?yàn)樵黾映杀竞碗[患 59.高頻開(kāi)關(guān)管平貼PCB時(shí)，PCB另一面不要放芯片等敏感器件。


理由：開(kāi)關(guān)管工作時(shí)容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，要設(shè)計(jì)成長(zhǎng)短一至，焊盤(pán)孔間隔要小。 理由：SR的尾部留長(zhǎng)是一樣長(zhǎng)的，當(dāng)兩個(gè)焊盤(pán)孔間隔太遠(yuǎn)時(shí)，會(huì)造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠(yuǎn)離AC端，改善EMI傳導(dǎo)。 理由：高頻信號(hào)會(huì)通過(guò)AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測(cè)到引起EMI問(wèn)題 62.驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)靠近MOS管。 理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性