四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比)，然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。

由碳與氟反應，或一氧1化碳與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應，或四氯1化碳與氟化銀反應，或四氯1化碳與氟化1氫反應，都能生成四氟化碳。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅，隨后通過硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產(chǎn)品。由于化學穩(wěn)定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中，緩緩通入高濃氟氣，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。

四氯化4碳與氟化1氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。四氯1化碳與氟化1氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。