KOAN晶體如需減小驅(qū)動功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會減小，實際驅(qū)動功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應(yīng)保證振蕩裕量超過 Re 的 5 倍；減小外部負載電容，振蕩電路阻抗將會增加，實際驅(qū)動功率將會減小。而負載電容減小，實際振蕩頻率將會增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負載晶體配合調(diào)整。

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KOAN 晶體諧振器如何選用合適的振蕩 IC

振蕩 IC 制造商的差異造成電路常數(shù)差異，以及電路配置的差異，可能會對晶體單元的振蕩產(chǎn)生一定的影響。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標稱頻率范圍內(nèi)，稱為“不規(guī)則振蕩”，調(diào)整阻尼電阻和外部負載電容，可以減少不規(guī)則振蕩發(fā)生的幾率?；蛘呤褂醚b有單個 C-MOS 的逆變器 (也稱為“非緩沖型”逆變器)。

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晶體諧振器的主要技術(shù)指標介紹

標稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。

負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時（產(chǎn)生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

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