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潔凈室中的溫濕度控制
潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定,但在滿足工藝要求的條件下,應(yīng)考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高,出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉,但作為總的原則看,由于加工精度越來越精細,所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中,作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。一)電荷等量的均勻的電中性狀態(tài),而使電荷過剩,物體呈帶電狀態(tài),由于這些電荷平時是不流動的,故稱靜電。直徑100 um的硅片,溫度上升1度,就引起了0.24um線性膨脹,所以必須有±0.1度的恒溫,同時要求濕度值一般較低,因為人出汗以后,對產(chǎn)品將有污染,特別是怕鈉的半導體車間,這種車間溫度不宜超過25度,濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時,冷卻水管壁上會結(jié)露,如果發(fā)生在裝置或電路中,就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外,濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉,但當相對濕度低于30%時,又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面,同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)的濕度范圍為35—45%。
在潔凈室內(nèi)靜電導致的事故有以下幾方面:
1.靜電電引起的靜電,引起人的不安全和恐懼感,并可造成二次傷害(例如人因受而摔倒,由摔倒又致傷);
2.靜電放電引起的放電電流,可導致諸如半導體元件等破壞和誤動作,例如將50塊P- MOS電路放在塑料袋內(nèi),搖晃數(shù)次后,與非門柵極嚴重擊穿者計39塊,失效率競達78%,這是因為半導體器件對靜電放電十分靈敏;
3.靜電放電產(chǎn)生的電磁波可導致電子儀器和裝置的雜音和誤動作;
4.靜電放電的發(fā)光可導致照相肢片等感光破壞;
5.靜電的力學現(xiàn)象可導致篩孔被粉塵堵塞,紡紗線紛亂,印刷品深淺不均和制品污染。
各種凈化廠房、無塵無菌室、凈化實驗室、GMP車間等的設(shè)計、安裝、維修等。生產(chǎn)制造各種凈化潔凈設(shè)備:主要為電子、食品、航空航天、光學光電、半導體塑料、化工、包裝、噴涂、化妝品、科研等行業(yè),滿足客戶不同的凈化級別。氣流有如一個空氣活塞,向下流經(jīng)室內(nèi),帶走污染物,然后從地面排出。凈化原理 氣流→初效凈化→空調(diào)→中效凈化→風機送風→管道→凈化風口→吹入房間→帶走塵埃細菌等顆?!仫L百葉窗→初效凈化 重復(fù)以上過程,即可達到凈化目的。
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