磁控濺射——濺射技術(shù)介紹

直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法（RF）。由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。

濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；如果上半部分熱的話說明冷卻不好，會向真空室返油，那就是不正常的現(xiàn)象了，說明冷卻不好，原因可能是水壓不夠或者水管內(nèi)有阻塞。這些離位原子進一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；當這種碰撞級聯(lián)到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。

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濺射鍍膜

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。磁控濺射鍍膜設(shè)備是目前一種鍍膜產(chǎn)品，相比傳統(tǒng)的水電鍍來講，磁控濺射鍍膜設(shè)備無毒性，能夠掩蓋，彌補多種水電鍍的缺陷。濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。

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磁控濺射介紹

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由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。

濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)含量高，那么就一定要擁有一個非常強大的磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)工程隊伍，磁控濺射鍍膜設(shè)備行業(yè)資深的專家，磁控濺射鍍膜設(shè)備可根據(jù)用戶的產(chǎn)品工藝及物殊要求設(shè)計配置。

磁控濺射鍍膜設(shè)備的主要用途

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1.各種功能性的薄膜鍍膜。所鍍的膜一般能夠吸收、透射、反射、折射、偏光等效果。

2.時裝裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，比如說各種全反射鍍膜以及半透明鍍膜，可適用在手機外殼、鼠標等產(chǎn)品上。

3.微電子行業(yè)領(lǐng)域中，其是一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學氣象沉積上。

4.在光學領(lǐng)域中用途巨大，比如說光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻 璃和透明導電玻璃等方面得到應(yīng)用。

5.在機械行業(yè)加工中，其表面功能膜、超硬膜等等。其作用能夠提供物品表面硬度從而提高化學穩(wěn)定性能，能夠延長物品使用周期。