化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學(xué)氣相沉積法不但可以對(duì)晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體。化學(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個(gè)晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個(gè)別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。

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化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜：

化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層?；瘜W(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，今天我們來分享化學(xué)氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。在當(dāng)代，微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料，這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未來有可能發(fā)展成開關(guān)以及存儲(chǔ)記憶材料，例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行生產(chǎn)。

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