溫度對微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。可將電解液采用循環(huán)對流冷卻的方式進行，既能控制溶液溫度，又達到了攪拌電解液的目的。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術、微弧氧化電源

微弧氧化技術的特點是什么

微弧氧化技術是新型的環(huán)保的技術，下面咱們一起了解一下微弧氧化技術的優(yōu)點。

1、微弧氧化有良好的絕緣性能，絕緣電阻可達100mω。

2、微弧氧化電解溶液為環(huán)保型，符合環(huán)保排放要求。

3、微弧氧化工藝穩(wěn)定可靠,設備工藝簡單，.

4、微弧氧化反應在常溫下進行，操作方便，易于掌握。

5、微弧氧化的基體原位生長陶瓷膜，結合牢固,陶瓷膜致密均勻。此工藝可代替并優(yōu)于陽極氧化工藝。

微弧氧化的特點

1、微弧氧化可以一次完成，也可以分幾次完成。特別對于氧化膜要求很厚的樣品可以分幾次氧化，而陽極氧化一旦中斷就必須重新開始。

2、在陽極氧化不易成膜的某些鋁合金如Al-Cu、Al-Si等合金表面，同樣可獲得性能很好的厚膜，尤其在Al-Cu合金表面（如Ly12合金），可以形成高硬度的厚膜，HV可達到1600以上。微弧氧化膜層與基體結合牢固，結構致密，韌性高，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性。微弧氧化電源、微弧氧化技術、微弧氧化設備、微弧氧化電源

微弧氧化

      微弧氧化是輕金屬在其特定的電解液及電場條件下，原位生長陶瓷膜的新技術。在微弧氧化的過程下，原來生產的氧化膜不會脫落，只有表面一部分氧化膜可能會被粉化而沉淀在溶液中，脫落的表面可以繼續(xù)氧化，隨著外加電壓的升高，或時間的延長，微弧氧化膜厚度會不斷增加，直至達到外加電壓所對應的最終厚度。微弧氧化原理是將Al、Mg、Ti等輕金屬或其合金置于電解質水溶液中作為陽極，利用電化學方法在該材料的表面產生火花放電斑點，在熱化學、等離子體化學和電化學的共同作用下，獲得金屬氧化物陶瓷層的一種表面改性技術。微弧氧化技術、微弧氧化電源、微弧氧化生產線、微弧氧化工藝