公司產品包括石英掩膜版，蘇打掩膜版，以及菲林版。蘇州制版根據客戶的構想、草圖，定制版圖，蘇州制版提供高質量掩膜版以及后期的代加工服務！

尺寸漲縮原因分析

膠片在光繪前沒有經過預置

由于膠片制造時無法預先控制膠片中的濕度與每個生產車間的濕度一致，因此使用之前應先使其與工作環(huán)境達到平衡的狀況。建議預置時間為12小時，預置時必須打開膠片的內包裝，使其與外界的空氣充分接觸。

使用鉻刻蝕液進行濕法刻蝕，將暴露出的鉻層刻蝕掉形成透光區(qū)域，而受光刻膠保護的鉻層不會被刻蝕，形成不透光區(qū)域。這樣便在掩膜版上形成透光率不同的平面圖形結構。

在有必要的情況下，使用濕法或干法方式去除掩膜版上的光刻膠層，并對掩膜版進行清洗。

機顯時還要注意以下幾點：①要定期維護顯影機，以保證已曝光的PS版顯影能正常進行。②在顯影之前必須保持各傳動輥清潔，若牽引輥不干凈，顯影時印版易粘上臟點。③如顯影機有涂膠裝置，一定注意膠輥要保持清潔，否則要弄臟印版。光掩膜是刻有微電路的版，由表面純平并帶有一層鉻的石英板或玻璃板制作而成，蝕刻后的殘留鉻部分即為設計的微電圖。④一般情況下，陽圖PS版顯影液(原液)的顯影能力為10m2/L。⑤上保護膠時，一定要均勻施膠，不能太厚，以免干后導致涂層龜裂和掉版。

接觸光刻技術中使用的掩模的表面特征圖案的尺寸與實際掩模的尺寸相同。i在襯底上形成的圖案是1∶1，并且以直接接近光致抗蝕劑層表面的方式曝光i光線；另一方面，縮微技術中使用的掩模具有表面特征圖案的實際尺寸。i在襯底上形成的圖案的幾次通過光學系統投影模式曝光i光明。通過光刻制版工藝，將微米級和納米級的精細圖案刻制于掩膜版基板上從而制作成掩膜版。