磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。　　

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。　

技術(shù)指標(biāo)：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復(fù)真空時間：40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa（短時間暴露　　大氣并充干燥氮?dú)夂箝_始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負(fù)偏壓 -200V　　

樣品轉(zhuǎn)盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤由伺服電機(jī)驅(qū)動，計算機(jī)控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計算機(jī)控制系統(tǒng)的功能：對位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進(jìn)行計算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對位移曲線可在線性和對數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換，可實現(xiàn)換位鍍膜。

以上就是為大家介紹的全部內(nèi)容，希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

磁控濺射系統(tǒng)介紹

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真空泵和測量裝置：

低真空：干泵和convectron真空規(guī)

高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規(guī)

5.控制系統(tǒng)：

硬件：PLC和計算機(jī)觸摸屏控制

自動和手動沉積控制

主要特點(diǎn)：

射頻電源：基底預(yù)先清洗和等離子體輔助沉積

溫度控制器：基底加熱

大面積基底傳送裝置

冷卻系統(tǒng)

磁控濺射鍍膜機(jī)導(dǎo)致不均勻因素哪些？

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原理上講，兩點(diǎn)：氣場和磁場

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場情況是濺射速率較高的情況，氣場變化，壓強(qiáng)變大和變小都會影響濺射速率。

磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩(wěn)定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。

在實際情況下，氣場穩(wěn)定，需要設(shè)計布?xì)庀到y(tǒng)，將布?xì)庀到y(tǒng)分級布置，保障鍍膜機(jī)腔體內(nèi)不同位置的進(jìn)氣量相同，同時，布?xì)庀到y(tǒng)、靶材、基材等要遠(yuǎn)離鍍膜機(jī)的抽氣口。需要穩(wěn)定磁場，用高斯計測量靶材表面磁場強(qiáng)度，由于磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場回路兩端磁場強(qiáng)度自然比中間位置強(qiáng)，可以選擇用弱磁鐵，同時，基材要避開無法調(diào)整的磁場變化較大的部分。濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子。

另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行的話，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行。