雙室磁控濺射系統(tǒng)

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設(shè)備簡(jiǎn)介

主要特點(diǎn)是設(shè)備體積小，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊易于操作，對(duì)實(shí)驗(yàn)室供電要求低；靶材和輝光之間為電壓降區(qū)域，給正離子提供足夠能量的電場(chǎng)，正離子加速轟擊到靶材上，使靶材的物質(zhì)濺射出來，沉積到基體上（兩側(cè)的長線）。該系列設(shè)備主要部件采用進(jìn)口或者國內(nèi)最優(yōu)的配置，從而提高設(shè)備的穩(wěn)定性；另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設(shè)備的運(yùn)行重復(fù)性及安全性方面得到更好地保障。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據(jù)客戶的不同需求進(jìn)行配置，比較靈活；標(biāo)配4只Φ2英寸永磁靶，4臺(tái)500W直流濺射電源，主要用來開發(fā)納米級(jí)單層及多層的金屬導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜以及絕緣膜等。

磁控濺射介紹

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用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便。這是因?yàn)榘校帢O），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強(qiáng)的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個(gè)電容。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時(shí)接地技術(shù)很復(fù)雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入氣和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕狻．?dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。