模擬自由空氣條件效應的高低溫試驗箱的設計

   加熱和冷卻箱體的器件不應放在工作空間中，因為箱內溫度的控制就是依賴這些組件的溫度變化來達到的。箱壁溫度亦應避免發(fā)生大的波動，以使輻射影響問題縮減到程度。

   為得到結果，高低溫試驗箱體所有箱壁均應加熱或冷卻。采用液體循環(huán)來加熱或冷卻所有的箱壁，是使箱壁溫度避免產生大波動的一-種合適方法，箱壁的輻射系數(shù)應該滿足試驗的要求。

   對依靠空氣循環(huán)來保持試驗溫度的高低溫試驗箱，試驗時可把試驗樣品置放在盒子內，然后再把這個盒子放入高低溫試驗箱內來進行試驗。此時，盒子的容積應該滿足試驗的尺寸要求，且盒壁應滿足輻射系數(shù)的要求。

在 GJB 360B—2009《電子及電氣元件試驗方法》中涉及高溫試驗的有“高溫壽命試驗”，其試驗目的是用于確定試驗樣品在高溫條件下工作一段時間后，高溫對試驗樣品的電氣和機械性能的影響，從而對試驗樣品的質量做出評定。在 GJB 128A—1997《半導體分立器件試驗方法》中涉及高溫試驗的有“高溫壽命（非工作）”和“高溫壽命（非工作）（抽樣方案）”兩種試驗，前者的試驗的目的是用于確定器件在承受規(guī)定的高溫條件下是否符合規(guī)定的失效率，后者的試驗目的是用于確定器件在承受規(guī)定的條件下是否符合規(guī)定的抽樣方案。電子元器件在高溫環(huán)境中，其冷卻條件惡化，散熱困難，將使器件的電參數(shù)發(fā)生明顯變化或絕緣性能下降。例如，在高溫條件下，存在于半導體器件芯片表面及管殼內的雜質加速反應，促使沾污嚴重的產品加速退化。*后制冷劑通過蒸發(fā)器等溫地從溫度較高的物體吸熱，使被冷卻物體溫度降低。此外，高溫條件對芯片的體內缺陷、硅氧化層和鋁膜中的缺陷以及不良的裝片、鍵合工藝等也有一定的檢驗效果。GJB 150《設備環(huán)境試驗條件》是設備環(huán)境試驗標準，它規(guī)定了統(tǒng)一的環(huán)境試驗條件或等級，用以評價設備適應自然環(huán)境和誘發(fā)環(huán)境的能力，適用于設備研制、生產和交付各階段，是制定有關設備標準和技術文件的基礎和選用依據(jù)。

如果在0℃一下使用機器，就要避免打開箱門，這是因為在做低溫的時候，如果打開箱門，容易導致內部的蒸發(fā)器和其他部位有封冰的現(xiàn)象，尤其是溫度閱讀情況就越嚴重。如果是一定要打開，也要盡量的縮短開門的時間。

在完成了低溫試驗時，一定要設定好溫度條件在60℃進行干燥處理，大約半個小時，避免影響到下一個測試的測定時間或是有結冰的現(xiàn)象。

應當定期的對冰凍機的散熱器進行保養(yǎng)，保持它的清潔。

在加濕桶進入水管，一定要完全排出存留的空間，防止水無法進入