離子植入：其是用來控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序，對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜技術(shù)。優(yōu)點(diǎn)在于雜質(zhì)量的控制，雜質(zhì)分布的再重整，及低溫下操作。    離子植入機(jī)主要的供廠商為AMAT，中國部份只有中電科電子裝備公司能供應(yīng)。市場預(yù)計(jì)今明兩年中國離子植入機(jī)需求可達(dá)5億美元與7億美元。    沉積：PVD沉積為一種物理制程，此技術(shù)一般使用等惰性氣體，藉由在高真空中將離子以加速撞擊濺鍍靶材后，將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來，使被濺擊出來的材質(zhì)沉積在晶圓表面。    薄膜沉積設(shè)備主要的供應(yīng)商包含應(yīng)用材料、Vaportech、LamResearch、ASM、Tokki等。而中國相關(guān)設(shè)備制造廠有北方華創(chuàng)、沈陽拓荊等。北方華創(chuàng)是中國薄膜沉積設(shè)備龍頭，目前技術(shù)已達(dá)到14nm。市場預(yù)計(jì)今明兩年中國薄膜沉積設(shè)備需求可達(dá)15億美元與20億美元。    測試：在晶圓完成制造之前，會(huì)有一道晶圓中測工序。在測試過程中，會(huì)檢測每一個(gè)芯片的電路功能。




三氯化鐵是一種共價(jià)化合物，也是目前蝕刻(腐蝕)行業(yè)針對不銹鋼US304腐蝕性價(jià)比高且廣泛使用的化學(xué)品，三氯化鐵易溶于水并且有強(qiáng)烈的吸水性，能吸收空氣里的水而潮解。FeCl3融水后帶有6個(gè)結(jié)晶水FeCl3·6H2O又稱結(jié)合水。結(jié)晶水是結(jié)合在化合物中的水分子，它們并不是液態(tài)水。很多晶體含有結(jié)晶水，但并不是所有的晶體都含有結(jié)晶水。溶質(zhì)從溶液里結(jié)晶析出時(shí)，晶體里結(jié)合著一定數(shù)目的水分子，這樣的水分子叫結(jié)晶水。在結(jié)晶物質(zhì)中，以化學(xué)鍵力與離子或分子相結(jié)合的、數(shù)量一定的水分子，如受到外界影響。例如，在逐步升溫的條件下，CuSO4·5H2O可以分步失去結(jié)晶水，依次轉(zhuǎn)變?yōu)镃uSO4·3H2O、CuSO4·H2O 、CuSO4。某些水合物在加熱時(shí) ，可能和所含的結(jié)晶水發(fā)生水解反應(yīng)，轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸锘驂A式鹽。

有不少朋友向我們小編反映到，自己在使用真空蝕刻機(jī)制作網(wǎng)版的過程中，總是在圖文部分出現(xiàn)顯影不透的現(xiàn)象。那作為一個(gè)的真空蝕刻機(jī)廠家，小編自然是總結(jié)了以下知識(shí)，希望能夠幫助到大家。

    一、是在恒溫箱中烘干網(wǎng)版的時(shí)間太長或烘干的溫度太高，兩者都可使涂布感光膠的網(wǎng)版在沒有曝光之前就產(chǎn)生“熱敏化”，如果再曝光就產(chǎn)生過量曝光，因此，圖像難以顯透了。    二、在涂布感光膠時(shí)，由于涂布的次數(shù)較多，涂布時(shí)又不注意避光操作造成多次曝光，再曝光時(shí)就難以顯透圖像。    三、曬版光源強(qiáng)度太大，曬版時(shí)間太長造成曝光過度，造成顯影困難。有時(shí)圖像反差太小，曝光時(shí)就會(huì)產(chǎn)生曝光過度，造成顯影困難。