離子植入：其是用來控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序，對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜技術(shù)。優(yōu)點(diǎn)在于雜質(zhì)量的控制，雜質(zhì)分布的再重整，及低溫下操作。    離子植入機(jī)主要的供廠商為AMAT，中國部份只有中電科電子裝備公司能供應(yīng)。市場預(yù)計(jì)今明兩年中國離子植入機(jī)需求可達(dá)5億美元與7億美元。    沉積：PVD沉積為一種物理制程，此技術(shù)一般使用等惰性氣體，藉由在高真空中將離子以加速撞擊濺鍍靶材后，將靶材原子一個個濺擊出來，使被濺擊出來的材質(zhì)沉積在晶圓表面。    薄膜沉積設(shè)備主要的供應(yīng)商包含應(yīng)用材料、Vaportech、LamResearch、ASM、Tokki等。而中國相關(guān)設(shè)備制造廠有北方華創(chuàng)、沈陽拓荊等。北方華創(chuàng)是中國薄膜沉積設(shè)備龍頭，目前技術(shù)已達(dá)到14nm。市場預(yù)計(jì)今明兩年中國薄膜沉積設(shè)備需求可達(dá)15億美元與20億美元。    測試：在晶圓完成制造之前，會有一道晶圓中測工序。在測試過程中，會檢測每一個芯片的電路功能。




在古時從事腐蝕加工的技師，不像我們今天這樣有很多的方法將圖文轉(zhuǎn)移到需要腐蝕的金屬表面。早的方法可能是采用一些石蠟、松香、瀝青等，也可能采用、桐油等天然有機(jī)材料。據(jù)記載到了16世紀(jì)時專門從事腐蝕加工的工匠們，要耐心地耗時數(shù)周甚至數(shù)月的時間，將這些材料按某種比例搗碎，再用液體瀝青或桐油調(diào)合，也可能是直接加溫熔化而制成保護(hù)涂料。然后用刷子仔細(xì)地把保護(hù)涂料涂抹在需要腐蝕的整個零件表面，經(jīng)午燥或冷卻硬化后;再用針或之類的硬物在保護(hù)層上把圖案制作出來，接下來就是用原始的方法進(jìn)行腐蝕加工。我們可以想象，他們是怎樣地在腐蝕部位周圍用石蠟等天然常溫固態(tài)樹脂筑起屏障，然后將酸液慢慢地加到需要腐蝕的部位上。我們可以估計(jì)到這些專門從事腐蝕的工匠們會遇到的各種困難，比如:防蝕層的粘著力不夠，在還沒有達(dá)到腐蝕深度要求時，防蝕層就可能全部或部分脫落，這時就需要用手工來拋光以去掉所有的腐蝕斑痕;用石蠟等天然樹脂所筑起的防蝕墻并不能很好地防止酸的外溢，使零件的外緣或其他部位遭到腐蝕，而這些零件在進(jìn)行腐蝕之前就已經(jīng)加工完成，同時已具有昂貴的價值，并由此而承擔(dān)極大的風(fēng)險。隨著其他輔助技術(shù)和有機(jī)材料的發(fā)展，可以用非金屬材料制作成大的容器，同時也逐漸掌握了使用防蝕涂料對零件其他部位的保護(hù)，這時就可以直接將零件浸人一足可。

金屬在蝕刻機(jī)中的腐蝕過程，首先是在金屬零件表面發(fā)生晶粒的溶解作用，其次在晶界上也發(fā)生溶解作用，一般來講，晶界是以不同于晶粒的溶解速度發(fā)生溶解作用的。

在大多數(shù)金屬和合金的多晶體結(jié)構(gòu)中，各個晶體幾乎都能采取原子晶格的任何取向。而晶粒的不同取向、晶粒密度的大小及雜質(zhì)都會和周圍的母體金屬形成微觀或超微觀原電池。所以，對于金屬在蝕刻液中來講，一方面這些原電池的存在，使金屬表面存在著電位差，電位正的地方得到暫時的保護(hù)，電位負(fù)的地方在腐蝕機(jī)中被優(yōu)先蝕刻。另一方面在零件表面具有變化著的原子間距，而且原子間距較寬的地方溶解速度迅速，一直到顯示出不平整的表面為止。然后，溶解作用將以幾乎是恒定的速度切削緊密堆積的原子層，表面的幾何形狀也隨著晶粒的溶解而繼續(xù)不斷地變化。晶界上的蝕刻也將進(jìn)一步影響零件表面。在晶界上晶格的畸變和富集的雜質(zhì)，常常導(dǎo)致更加快速的蝕刻作用，從而可能會使整個晶粒受到凹坑狀的蝕刻。晶粒尺寸越小，蝕刻后表面粗糙度越低，這也可以從實(shí)際生產(chǎn)中得到證實(shí)。在生產(chǎn)中往往都是材料越均勻致密其表面越平滑。