化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)幾種金屬薄膜

金屬薄膜因其有著較好的高導(dǎo)電率、強(qiáng)催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。激光干涉：激光干涉終點(diǎn)法（IEP）是用激光光源檢測(cè)透明薄膜厚度的變化，當(dāng)厚度變化停止時(shí)，則意味著到達(dá)了刻蝕終點(diǎn)。沉積金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類比較廣泛，不過(guò)大多是金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物，比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。

Goto 團(tuán)隊(duì)在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯（YSZ）等等。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳，并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜，如若不然則得到的就是銥碳簇膜，也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜化學(xué)氣相沉積法不但可以對(duì)晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無(wú)法制備出的一些晶體。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強(qiáng)的簇膜，在電極材料上的使用在未來(lái)將很有潛力。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的主要過(guò)程

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過(guò)應(yīng)氣體放電來(lái)制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。正離子受到離子層加速電場(chǎng)的加速與上電極碰撞，放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場(chǎng)，所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。一般說(shuō)來(lái),采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長(zhǎng)主要包含以下三個(gè)基本過(guò)程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；

其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn)，同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級(jí)反應(yīng)；

然后，到達(dá)生長(zhǎng)表面的各種初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。