測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數(shù)也會存在個體差異。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數(shù)，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環(huán)節(jié)可靠運行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。測試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來輸入，而測量結果，亦必須在其所規(guī)定的限額內(nèi)，否則，便為不良品。

測試參數(shù)多且完整、應用領域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關閉」電流的漏電流，就可知道大功半導體有沒有老化的現(xiàn)象。

?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結果與數(shù)值。

?適用的半導體元件種類多，尤其能測大功率元件。

?用戶能確實掌握新采購元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計算機控制、快速的設定參數(shù)。

?適用于實驗室和老化篩選的測試。

?操作非常簡單、速度快。

?完全計算機自動判斷、自動比對。

7、測量配置

7.1 示波器：美國泰克新5系混合信號示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速電流探頭；

7.3 高壓差分探頭。

8、測試參數(shù)應包括

8.1 開通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 關斷：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 柵電荷：采用恒流驅動，電流可調(diào)范圍：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模塊)測試：0-20KΩ；

8.8 主要測試參數(shù)精度偏差 ：< 3 % 。

6）短路保護放電回路 緊急情況下快速放電，保證緊急情況時快速使設備處于安全電位。 ?回路耐壓 DC10kV ?放電電流 10kA（5ms） ?工作溫度 室溫～40℃； ?工作濕度 <70% 7）正常放電回路 用于設備正常關機時放電，使設備處于安全電位。 ?回路耐壓 10kV ?放電電流 50A ?工作溫度 室溫～40℃； ?工作濕度 <70% 8）高壓大功率開關 ?電流能力 2000A ?隔離耐壓 10kV ?響應時間 150ms ?脈沖電流 20kA（不小于10ms） ?工作方式 氣動控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求。工作濕度 <70%