鍍膜技術(shù)在集成電路制造中的應(yīng)用 晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢姎庀喑练e術(shù)制備集成電路的核心技術(shù)之一。

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。

真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜。真空鍍膜設(shè)備若有灰塵，將會影響真空鍍膜的效果和質(zhì)量。1、鍍膜技術(shù)在裝飾品方面的應(yīng)用隨著經(jīng)濟的發(fā)展和生活水平的提高，人們喜歡將手表殼、表帶、服飾、燈飾、眼鏡架、室內(nèi)外裝飾件、五金箱包、手機殼、手機視屏、衛(wèi)生潔具、食品包裝等裝飾品精飾得五彩繽紛。真空鍍膜設(shè)備真空熱處理是指金屬制件在真空或先抽真空后通惰性氣體條件下加熱，然后在油或氣體中淬火冷卻的技術(shù)。由于真空熱處理時，工件基本不氧化，鋼件不脫碳，采用通氣對流加熱方式還可使加熱均勻，減少表面和心部的溫差，從而也減少畸變。目前它已成為工模具不可或缺和的熱處理工藝。

  在真空條件下加熱工件，主要依賴輻射。由于輻射傳熱與溫度的4次方成比例，所以在850℃以下輻射效果不高，工件加熱速度很慢

真空電鍍設(shè)備膜厚的不均勻問題

無論監(jiān)控儀精度怎樣，它也只能控制真空室里單點位置的膜厚，一般來講是工件架的中間位置。從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。如果真空電鍍設(shè)備此位置的膜厚不是均勻的，那么遠離中心位置的基片就無法得到均勻的厚度。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對真空室的結(jié)構(gòu)和蒸發(fā)源的恰當選擇可以使這些影響化。

在過去幾年中，越來越多的用戶要求鍍膜系統(tǒng)制造廠家提供高性能的小規(guī)格、簡便型光學鍍膜系統(tǒng)，同時，用戶對性能的要求不僅沒有降低，反而有所提高，特別是在薄膜密度和保證吸水后光譜變化小化等方面。

現(xiàn)在，系統(tǒng)的平均尺寸規(guī)格已經(jīng)在降低，而應(yīng)用小規(guī)格設(shè)備進行光學鍍膜的生產(chǎn)也已經(jīng)轉(zhuǎn)變成為純技術(shù)問題。另外,在PVD施鍍過程中,鍍層厚度受磁體工件邊角的影響遠低于電鍍和化學鍍,且制備過程不存在污染問題。因此，選用現(xiàn)代化光學鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對以下因素的認真考慮：對鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及保證高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。

蒸發(fā)式真空鍍膜機的工作原理：通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之知一。 蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。普通玻璃能透過絕大部分太陽光輻射能量，這對采光和吸收太陽光線的能量十分有利。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子道以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)專源的蒸發(fā)速率和時間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關(guān)。對于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的屬距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。簡言之，蒸發(fā)式真空鍍膜機的工作原理就是真空室內(nèi)利用電阻加熱法，把緊緊貼在電阻絲上面的金屬絲熔融汽化，汽化了的金屬分子沉積于基片上，而獲得光滑反射率的膜層，達到裝飾美化物品表面的目的。