物理氣相沉積（PVD）是一項眾所周知的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于薄膜沉積，涉及許多方面，包括摩擦學(xué)性能改善，光學(xué)增強，視覺/美學(xué)提升以及許多其他領(lǐng)域，涉及范圍廣泛。已經(jīng)建立的應(yīng)用程序。加工工具可能是該沉積技術(shù)的常見應(yīng)用之一，有時與化學(xué)氣相沉積（CVD）結(jié)合使用，以延長其使用壽命，減少摩擦并改善熱性能。然而，CVD工藝在較高的溫度下進行，從而在涂層和基材中產(chǎn)生較高的應(yīng)力，基本上僅在需要使用該工藝沉積所需的涂層時才使用。為了改進此技術(shù)，已進行了多項研究，以優(yōu)化PVD技術(shù)，方法是增加等離子體電離，減少暗區(qū)（反應(yīng)器中沒有沉積物的區(qū)域），改善靶材的使用，提高原子轟擊效率，甚至提高沉積速率并優(yōu)化氣體選擇。

隨著市場和研究人員的要求，隨著基于傳統(tǒng)工藝的新系統(tǒng)的出現(xiàn)，新的涂料性能得到了發(fā)展。即使通過蒸發(fā)工藝獲得的沉積速率是理想的，但事實是，濺射沉積技術(shù)在質(zhì)量和沉積速率方面取得了無疑的進步，響應(yīng)了對此領(lǐng)域感興趣的行業(yè)和研究人員的需求，甚至用作中間層，用于通過化學(xué)氣相沉積（CVD）獲得的其他涂層。

CVD是另一種在真空下沉積的方法，并且是使待沉積材料中的揮發(fā)性化合物與其他氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的過程，以產(chǎn)生沉積在基材上的非揮發(fā)性固體。

當(dāng)考慮電子束蒸發(fā)技術(shù)時，該方法涉及純粹的物理過程，其中目標(biāo)充當(dāng)包含待沉積材料的蒸發(fā)源，該材料用作陰極。請注意，系統(tǒng)會根據(jù)電子束功率蒸發(fā)任何材料。通過在高真空下轟擊電子，在高蒸氣壓下加熱材料，并釋放出顆粒。然后，在原子尺寸釋放的粒子和氣體分子之間發(fā)生沖突，該粒子插入反應(yīng)器中，旨在通過產(chǎn)生等離子體來加速粒子。該等離子體穿過沉積室，在反應(yīng)器的中間位置更強。連續(xù)壓縮層被沉積，從而增加了沉積膜對基底的粘附力