.真空蒸鍍

真空蒸鍍是真空條件下在1.33x10-3至1.33x10-4Pa的壓力下，用電子束等熱源加熱沉積材料使之蒸發(fā)，蒸發(fā)的原子或分子直接在注塑加工件表面形成沉積層。但對于難熔的金屬碳化物和氮化物進行直接蒸發(fā)是有困難的，并且有使化合物分解的傾向。為此，開發(fā)了引入化學(xué)過程的反應(yīng)蒸鍍，例如，用電子槍蒸發(fā)鈦金屬，并將少量和等反應(yīng)氣體導(dǎo)入蒸發(fā)空間，使鈦原子和反應(yīng)氣體原子在工件表面進行反應(yīng)，沉積TiC涂層。

真空蒸鍍多用于透鏡和反射鏡等光學(xué)元件、各種電子元件、塑料注塑加工制品等的表面鍍膜，在表面硬化方面的應(yīng)用不太多。

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術(shù)，它是利用物質(zhì)在氣相中產(chǎn)生的物理或(及)化學(xué)反應(yīng)而在產(chǎn)品表面沉積單層或多層的、單質(zhì)或化合物的膜層，從而使產(chǎn)品表面獲得所需的各種優(yōu)異性能。

氣相沉積作為一種表面鍍膜方法，其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運->沉積。它的主要特點在于不管原來需鍍物料是固體、液體或氣體，在輸運時都要轉(zhuǎn)化成氣相形態(tài)進行遷移，終到達工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

離化PVD技術(shù)通過將成膜材料高度電離化形成膜材料離子，從而增加膜材料離子的沉積動能，并使之在高化學(xué)活性狀態(tài)下沉積薄膜的技術(shù)，包括離子鍍、離子束沉積和離子束輔助沉積三類。

離化PVD過程大多是蒸發(fā)/濺射（氣相物質(zhì)激發(fā)）與等離子體離化過程（賦能、）的交叉結(jié)合。

蒸發(fā)鍍膜是依靠源材料的晶格振動能克服逸出功，從而形成沉積粒子的熱發(fā)射，即：外加能量（電阻/電子束/激光/電弧/射頻）賦予材料較高的晶格振動能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而濺射是依靠高能離子輸入動能，借助源材料中粒子間的彈性碰撞，致使更高動能粒子逸出。離化PVD 是以其它手段激發(fā)沉積物質(zhì)粒子，然后使之與高度電離的等離子體交互作用（類似 PECVD），促使沉積粒子離化，使之既可被電場加速而獲得更高動能，同時在低溫狀態(tài)下具有高化學(xué)活性。