真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域

在平板顯示器中

所有各類(lèi)平板顯示器都要用到各種類(lèi)型的薄膜，而且，幾乎所有類(lèi)型的平板顯示器件都需要使用ITO膜，以滿(mǎn)足透明電器的要求。可以毫不夸張的說(shuō)，沒(méi)有薄膜技術(shù)，就沒(méi)有平板顯示器件。

在太陽(yáng)能利用方面

當(dāng)需要有效地利用太陽(yáng)熱能時(shí)，就要考慮采用對(duì)太陽(yáng)光線吸收較多、而對(duì)熱輻射等所引起的損耗較小的吸收面。太陽(yáng)光譜的峰值大約在波長(zhǎng)為2-20μm之間的紅外波段。在長(zhǎng)時(shí)間的加熱過(guò)程中，鍍膜機(jī)很難避免傳感器為敏感的區(qū)域，導(dǎo)致薄膜的重大錯(cuò)誤。由于太陽(yáng)輻射與熱輻射光譜在波段上有差異，因此，為了有效地利用太陽(yáng)熱能，就必須考慮采用具有波長(zhǎng)選擇特性的吸收面。

理想的選擇吸收面，是太陽(yáng)輻射光譜的波段（可見(jiàn)光波段）吸收率（α）為1，在熱輻射波段（紅外波段）輻射率（ε）為0。

在防偽技術(shù)中

防偽膜種類(lèi)很多，從使用方法可分為反射式和透射式；從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。

在飛機(jī)防護(hù)涂層方面

飛機(jī)的鈦合金緊固件，原來(lái)采用電鍍方法鍍鎘。但在鍍鎘中含有氫，所以在飛行過(guò)程中，受到大氣、海水的腐蝕，鍍層上容易產(chǎn)生“鎘脆”，甚至引起“空難”。

1964年，采用離子鍍方法在鈦合金緊固件上鍍鋁，解決了飛機(jī)零件的“鎘脆”問(wèn)題。在離子鍍技術(shù)中，由于給工件施加負(fù)偏壓，可以形成“偽擴(kuò)散層”、細(xì)化膜層組織，因此，可以顯著提高膜層的耐腐蝕性能。

在光學(xué)儀器中

人們熟悉的光學(xué)儀器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機(jī)、測(cè)距儀，以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等，它們都離不開(kāi)鍍膜技術(shù)，鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。

在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中

薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：

由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。

為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信息，必然要采用鍍膜技術(shù)。

在傳感器方面

在傳感器中，多采用那些電氣性質(zhì)相對(duì)于物理量、化學(xué)量及其變化來(lái)說(shuō)，極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外，其中，大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì)，需要盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低價(jià)格制作，因此，采用薄膜的情況很多。

在集成電路制造中

晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線等，多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢?jiàn)，氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。

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真空鍍膜機(jī)部件分析

真空主體——真空腔根據(jù)加工產(chǎn)品要求的各異，真空腔的大小也不一樣，目前應(yīng)用1多的有直徑1、3M、0、9M、1、5M、1、8M等，腔體由不銹鋼' target=_blank>不銹鋼材料制作，要求不生銹、堅(jiān)實(shí)等，真空腔各部分有連接閥，用來(lái)連接各抽氣泵浦。若設(shè)備嚴(yán)格要求無(wú)油時(shí)，應(yīng)該選各種無(wú)油泵，如：水環(huán)泵、分子篩吸附泵、濺射離子泵、低溫泵等。

輔助抽氣系統(tǒng)：排氣系統(tǒng)為鍍膜機(jī)真空系統(tǒng)的重要部分，主要有由機(jī)械泵、增壓泵(主要介紹羅茨泵)、油擴(kuò)散泵三大部分組成。此排氣系統(tǒng)采用“擴(kuò)散泵 機(jī)械泵 羅茨泵 低溫冷阱 polycold”組成。排氣流程為：機(jī)械泵先將真空腔抽至小于2、0*10-2PA左右的低真空狀態(tài)，為擴(kuò)散泵后繼抽真空提供前提，之后當(dāng)擴(kuò)散泵抽真空腔的時(shí)候，機(jī)械泵又配合油擴(kuò)散泵組成串聯(lián)，以這樣的方式完成抽氣動(dòng)作。其相關(guān)組成及各部件：機(jī)械泵、增壓泵、油擴(kuò)散泵、冷凝泵、真空測(cè)量系統(tǒng)。

常見(jiàn)的真空鍍膜材料

氧化物一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5，五氧化二鈮Nb2O5，五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3，氧化鋅ZnO等高純氧化物鍍膜材料。

其它化合物硫化鋅ZnS，硒化鋅ZnSe，氮化鈦TiN，碳化硅SiC，鈦酸鑭LaTiO3，鈦酸鋇BaTiO3，鈦酸鍶SrTiO3，鈦酸鐠PrTiO3，硫1化鎘CdS等真空鍍膜材料。

金屬鍍膜材料高純鋁Al，高純銅Cu，高純鈦Ti，高純硅Si，高純金Au，高純銀Ag，高純銦In，高純鎂Mg，高純鋅Zn，高純鉑Pt，高純鍺Ge，高純鎳Ni,高純金Au，金鍺合金AuGe，金鎳合金AuNi，鎳鉻合金NiCr，鈦鋁合金TiAl，鋅鋁合金ZnAl，鋁硅合金AlSi等金屬鍍膜材料。冷捕集：就是不可凝氣體被可凝氣體捕集的現(xiàn)象，通常二氧化碳、水蒸氣、氮?dú)狻簹獾葰怏w首先形成霜，于低溫表面形成吸附層，進(jìn)而達(dá)到吸附其它氣體的目的，低溫泵抽除混合氣體的效果比抽除單一效果好就是這個(gè)原因。