光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠(又稱光致抗蝕劑)，是指通過(guò)紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻材料。光刻膠具有光化學(xué)敏感性，其經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設(shè)計(jì)好的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。結(jié)合雙掩膜和雙刻蝕等技術(shù)，現(xiàn)有光刻技術(shù)使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。因此光刻膠微細(xì)加工技術(shù)中的關(guān)鍵性化工材料，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作。生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體和其他助劑等。

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國(guó)Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢(shì)： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來(lái)曝光產(chǎn)量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時(shí)間 3. 根據(jù)曝光能量可以比較容易的調(diào)整側(cè)壁角度 4. 耐溫可以達(dá)到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據(jù)職業(yè)和環(huán)境的安全而設(shè)計(jì)。在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSIIC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿足要求。

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?Futurrex

提供先進(jìn)化學(xué)技術(shù)的多樣化解決方案

成立于1985年,總部設(shè)在美國(guó)新澤西州，富蘭克林市,高速成長(zhǎng)并超過(guò)20年連續(xù)盈利的跨國(guó)公司

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應(yīng)用領(lǐng)域：微電子、光電子、LED、太陽(yáng)能光伏、微機(jī)電系統(tǒng)、生物芯片、微流體、平面印刷

解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程

客戶：從財(cái)富100強(qiáng)到以風(fēng)險(xiǎn)投資為背景的設(shè)備研發(fā)及制造公司

使命

目標(biāo)

提供特殊化學(xué)品和全新工藝來(lái)增加客戶的產(chǎn)能

策略

提供獨(dú)特的產(chǎn)品來(lái)優(yōu)化生產(chǎn)制程，以提高設(shè)備能效

領(lǐng)的技術(shù)提升生產(chǎn)過(guò)程中的整體性價(jià)比

工藝步驟的減少降低了成本和產(chǎn)生瑕疵的可能

增加客戶的產(chǎn)能和生產(chǎn)的效率

工藝減化

非同尋常的顯微構(gòu)造、金屬及介電層上的圖形轉(zhuǎn)換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定

在生產(chǎn)過(guò)程中，不含有害溶劑

支持所有客戶的需要，與客戶共創(chuàng)成功

光刻膠

光刻膠由光引發(fā)劑、樹(shù)脂、溶劑等基礎(chǔ)組分組成，又被稱為光致抗蝕劑，這是一種對(duì)光非常敏感的化合物。此外，光刻膠中還會(huì)添加光增感劑、光致產(chǎn)酸劑等成分來(lái)達(dá)到提高光引發(fā)效率、優(yōu)化線路圖形精密度的目的。按照感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特點(diǎn)。在受到紫外光曝光后，它在顯影液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。

分類

根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類。

正膠

曝光前對(duì)顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。

優(yōu)點(diǎn)：分辨率高、對(duì)比度好。

缺點(diǎn)：粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

靈敏度：曝光區(qū)域光刻膠完全溶解時(shí)所需的能量

負(fù)膠egative






Photo Resist）

與正膠反之。

優(yōu)點(diǎn)： 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。

缺點(diǎn)： 顯影時(shí)發(fā)生變形和膨脹，導(dǎo)致其分辨率。

靈敏度：保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。