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尺寸漲縮原因分析

膠片在光繪前沒有經(jīng)過預(yù)置

由于膠片制造時無法預(yù)先控制膠片中的濕度與每個生產(chǎn)車間的濕度一致，因此使用之前應(yīng)先使其與工作環(huán)境達(dá)到平衡的狀況。建議預(yù)置時間為12小時，預(yù)置時必須打開膠片的內(nèi)包裝，使其與外界的空氣充分接觸。

通過金屬化過程，在硅襯底上布置一層僅數(shù)納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解。自然界中光的三原色是紅、綠、蘭，這三種色光不同的組合可組成無數(shù)種色光。使特定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上，可以對光刻膠進(jìn)行選擇性照射（曝光）。然后使用前面提到的顯影液，溶解掉被照射的區(qū)域，這樣，光掩模上的圖形就呈現(xiàn)在光刻膠上。通常還將通過烘干措施，改善剩余部分光刻膠的一些性質(zhì)。

刻蝕或離子注入完成后，將進(jìn)行光刻的后一步，即將光刻膠去除，以方便進(jìn)行半導(dǎo)體器件制造的其他步驟。通常，半導(dǎo)體器件制造整個過程中，會進(jìn)行很多次光刻流程。建議預(yù)置時間為12小時，預(yù)置時必須打開膠片的內(nèi)包裝，使其與外界的空氣充分接觸。生產(chǎn)復(fù)雜集成電路的工藝過程中可能需要進(jìn)行多達(dá)50步光刻，而生產(chǎn)薄膜所需的光刻次數(shù)會少一些。

接觸光刻技術(shù)中使用的掩模的表面特征圖案的尺寸與實際掩模的尺寸相同。i在襯底上形成的圖案是1∶1，并且以直接接近光致抗蝕劑層表面的方式曝光i光線；另一方面，縮微技術(shù)中使用的掩模具有表面特征圖案的實際尺寸。光罩（英文：Reticle,Mask），在制作IC的過程中，利用光蝕刻技術(shù)，在半導(dǎo)體上形成圖型，為將圖型於晶圓上，必須透過光罩作用的原理，類似于沖洗照片時，利用底片將影像至相片上。i在襯底上形成的圖案的幾次通過光學(xué)系統(tǒng)投影模式曝光i光明。