多弧離子PVD鍍膜設(shè)備　　

腔體結(jié)構(gòu)：  立式前開(kāi)門(mén)，臥式前開(kāi)門(mén)，后置真空獲得系統(tǒng)　　

材質(zhì)用料：  腔體采用SUS304不銹鋼材質(zhì)　　

離子弧源：  依據(jù)設(shè)備大小不同配備多套弧電源系統(tǒng)　　

偏壓電源：  配備大功率單級(jí)脈沖偏壓電源　　

多弧靶材：  標(biāo)配多套鈦靶或不銹鋼靶材　　

轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)： 變頻調(diào)速，公自轉(zhuǎn)結(jié)合，可采用上傳動(dòng)或下傳動(dòng)方式　　

真空系統(tǒng)（裝飾鍍膜設(shè)備Decorative coating）：擴(kuò)散泵（可選分子泵） 羅茨泵 機(jī)械泵 維持泵 深冷系統(tǒng)（可選）

蒸鍍中關(guān)鍵的兩個(gè)參數(shù)是真空度（≤10-3Pa）和相對(duì)蒸發(fā)源的基片距離（10~50cm）。蒸鍍過(guò)程中，膜層粒子與真空室中的氣體的碰撞是應(yīng)該避免的，因此，相對(duì)蒸發(fā)源的基片距離應(yīng)大于工作狀態(tài)下真空室內(nèi)氣體分子的平均自由程。

濺射鍍膜過(guò)程為：氣體放電→等離子體→帶電離子→電場(chǎng)作用→離子加速→高能離子→撞擊靶材→濺射→發(fā)射靶材原子→飛向基板→形成沉積→獲得薄膜。

射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（RF-PCVD）

在低壓容器的兩極上加高頻電壓則產(chǎn)生射頻放電形成等離子體，射頻電源通常采用電容耦合或電感耦合方式，其中又可分為電極式和無(wú)電極式結(jié)構(gòu)，電極式一般采用平板式或熱管式結(jié)構(gòu)，優(yōu)點(diǎn)是可容納較多工件，但這種裝置中的分解率遠(yuǎn)低于1%，即等離子體的內(nèi)能不高。電極式裝置設(shè)在反應(yīng)容器外時(shí)，主要為感應(yīng)線(xiàn)圈，如圖5，也叫無(wú)極環(huán)形放電，射頻頻率為13.56MHz。

物理氣相沉積（PVD）是一項(xiàng)眾所周知的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于薄膜沉積，涉及許多方面，包括摩擦學(xué)性能改善，光學(xué)增強(qiáng)，視覺(jué)/美學(xué)提升以及許多其他領(lǐng)域，涉及范圍廣泛。已經(jīng)建立的應(yīng)用程序。加工工具可能是該沉積技術(shù)的常見(jiàn)應(yīng)用之一，有時(shí)與化學(xué)氣相沉積（CVD）結(jié)合使用，以延長(zhǎng)其使用壽命，減少摩擦并改善熱性能。然而，CVD工藝在較高的溫度下進(jìn)行，從而在涂層和基材中產(chǎn)生較高的應(yīng)力，基本上僅在需要使用該工藝沉積所需的涂層時(shí)才使用。為了改進(jìn)此技術(shù)，已進(jìn)行了多項(xiàng)研究，以?xún)?yōu)化PVD技術(shù)，方法是增加等離子體電離，減少暗區(qū)（反應(yīng)器中沒(méi)有沉積物的區(qū)域），改善靶材的使用，提高原子轟擊效率，甚至提高沉積速率并優(yōu)化氣體選擇。