真空鍍膜設(shè)備我們可能見到的有很多，如真空鍍膜機等等，這里為大家介紹一種概述電磁屏蔽膜專用真空鍍膜設(shè)備，具體如下：

電磁屏蔽膜專用真空鍍膜設(shè)備是在手機、筆記本電腦、電話機、DVD等電子產(chǎn)品塑膠外殼表面上鍍制電磁屏蔽（EMI）薄膜的專用設(shè)備。該設(shè)備利用等離子體表面處理技術(shù)，并采用真空蒸發(fā)和磁控濺射鍍膜工藝相結(jié)合，以真空蒸發(fā)鍍Ag、Cu，以磁控濺射鍍Ni/Cr不銹鋼，可實現(xiàn)不同電阻要求的EMI鍍膜。

電磁屏蔽（EMI）膜專用真空鍍膜設(shè)備特點及基本參數(shù)：

1.有臥式、立式結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)單面同時鍍膜；

2.生產(chǎn)效率,快速度達1分鐘/節(jié)拍；

3.模組化設(shè)，維護方便；

4.鍍膜工藝成熟，成品率高；

5.直流磁控濺射陰極可隨客戶要求選擇；

6.真空系統(tǒng)由機械泵、羅茨泵、擴散泵組成；

7.大尺寸；2200mm*1200mm(長*寬)；

8.小尺寸；500mm*400mm(長*寬)。

影響蒸鍍氧化硅類蒸鍍薄膜性能的因素

響蒸鍍氧化硅類蒸鍍薄膜性能的因素有：被蒸鍍的基膜、蒸鍍方法、蒸鍍工藝條件對蒸鍍氧化硅薄膜性能的影響等。

①塑料薄膜的類型：蒸鍍的氧化硅膜與塑料薄膜之間的黏合牢度，與塑料基膜種類之間有較大的關(guān)系，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化硅之間的黏合性較佳，而非極性的薄膜與氧化硅之間的黏合力則比較差。

②塑料薄膜表面狀態(tài)：蒸鍍氧化硅類蒸鍍薄膜的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上取決于氧化硅鍍層的均勻性。裂縫、等缺欠，會導(dǎo)致蒸鍍氧化硅類蒸鍍薄膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了蒸鍍層本身的化學(xué)成分與結(jié)構(gòu)之外，所用基膜的表面平滑性也是一個重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍?nèi)毕?，但適量的粗糙度，會使蒸鍍層和基膜的表面之間形成物理錨接，改善層間黏合力。

③塑料薄膜的表面預(yù)處理狀況：為了得到的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的表面電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經(jīng)過表面電暈處理，可在其表面形成氧化層，增大基膜與蒸鍍涂層之間的結(jié)合力。在預(yù)處理設(shè)備一定的情況下，如果預(yù)處理時間不足，表面改性不充分，基膜與涂層之間的結(jié)合牢度不理想；預(yù)處理時間過長，則可能引起基膜較深層次的界面弱化，產(chǎn)生基膜自身的弱界面層，引起整個材料的結(jié)合力下降。

真空鍍膜設(shè)備鍍膜過程的均勻性到底多重要?

真空鍍膜設(shè)備鍍膜過程的均勻性到底多重要？ 厚度均勻性主要取決于： 1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。晶向均勻性：1、晶格匹配度;2、基片溫度;3、蒸發(fā)速率. 對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實驗確定，是各不相同的，鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

真空鍍膜設(shè)備的化學(xué)成分的分析

真空鍍膜設(shè)備的化學(xué)成分的分析 從蒸發(fā)源射出的蒸汽流脫離蒸鍍原料表面的時候溫度很高，能量也比較高，在上升通過蒸發(fā)區(qū)到達基材表面的過程中，由于碰撞、運動中的能量交換導(dǎo)致動能下降，到達基材表面的粒子很快與基材交換能量，迅速沉積在其表面。 在鍍膜工藝中，離子轟擊改善基材的表面，在蒸發(fā)區(qū)建立等離子氣體以提高氣化微粒功能等輔助手段，較好地解決了鍍膜與基材結(jié)合牢固度的問題。 其實在眾多的鍍膜工藝里，氧化物鍍膜工藝和程序是有非常大的難度的，因為它面臨著很多因素影響，環(huán)境和材料等等，但是氧化物的鍍膜工藝卻是受到廣大的企業(yè)生產(chǎn)的親睞。所以這種鍍膜工藝和設(shè)備的發(fā)展趨勢會越來越好！