憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢(shì)，因?yàn)楹笳呔哂懈叩膿舸╇妷杭捌渌匦?，包括：臨界電場(chǎng)擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時(shí)漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

檢測(cè)電阻值的額定功率必須相對(duì)較大

一般而言，開始時(shí)選用在電流下使其兩端電壓降約為 100 mV 的電阻值。經(jīng)數(shù)學(xué)計(jì)算可知，檢測(cè)電阻值僅為毫歐級(jí)，與其他電路功能中常用的數(shù)千歐甚至更大的阻值形成鮮明對(duì)比。確定電阻值后，設(shè)計(jì)人員就必須選擇特定的物理元器件。鑒于電流值的大小，相較于大多數(shù)其他電阻器，檢測(cè)電阻器的額定功率必須相對(duì)較大。此外，不只是室溫下可提供高精度，而必須采用相應(yīng)的材料和制造技術(shù)以確保較小的電阻溫度系數(shù) (TCR)。TCR 較小時(shí)，即使環(huán)境溫度升高或因自熱引起的溫度升高，阻值也不會(huì)明顯變化。

同一直流母線段出現(xiàn)同時(shí)兩點(diǎn)接地時(shí),應(yīng)立即采取措施消除

同一直流母線段出現(xiàn)同時(shí)兩點(diǎn)接地時(shí)，應(yīng)立即采取措施消除，避免由于直流同一母線兩點(diǎn)接地，造成繼電保護(hù)或開關(guān)誤動(dòng)故障。當(dāng)出現(xiàn)直流系統(tǒng)一點(diǎn)接地時(shí)，應(yīng)及時(shí)消除。在無(wú)法快速判別接地故障點(diǎn)時(shí)，應(yīng)采用便攜式絕緣檢測(cè)設(shè)備進(jìn)行探查。拉路查找應(yīng)遵循“先次要后重要，先戶外后戶內(nèi)”的原則進(jìn)行，一般按照事故照明、輔助設(shè)施、信號(hào)回路、保護(hù)及控制回路、整流裝置和蓄電池回路，對(duì)于PT并列裝置等重要工作電源嚴(yán)禁拉路。

可編程直流電源采用嵌入式供電方式

因電源在開關(guān)柜內(nèi)，可減少電纜的使用量，節(jié)約一次設(shè)備投資及電纜施工工作量;在總臺(tái)數(shù)不多時(shí)，其總價(jià)低于直流屏系統(tǒng)，可降低工程總造價(jià)；同時(shí)在運(yùn)行時(shí)可減少線損，減少備件，節(jié)約運(yùn)行成本?？删幊讨绷麟娫床捎们度胧焦╇姺绞剑煽啃詷O大。當(dāng)某一回路發(fā)生故障時(shí)，其它回路的電源裝置不受影響，避免出現(xiàn)一點(diǎn)故障全站無(wú)操作電源，與集中供電的直流屏相比，其總體可靠性得以極大提高。