KOAN 壓控晶振系列編號封裝尺寸解讀（CMOS 輸出）

? KV08/14：KV-KOAN*VCXO，DIP8/DIP14 直插（4p）CMOS 輸出，5V（4-50Mhz）

? KV32/50：KV-KOAN*VCXO，SMD3225/5032（4p/6p）CMOS 輸出，1.8V-3.3V（4-50Mhz/16-50Mhz@1.8V）

? KV32T：KV-KOAN*VCXO，32-SMD3225（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV50T：KV-KOAN*VCXO，50-SMD5032（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV508T：KV-VCXO，50-SMD5032（8p）（超低抖動）T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

? KV70：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）CMOS 輸出，3.3V（4-50Mhz）

? KV70T：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV708T：KV-VCXO，70-SMD7050（8p）（超低抖動，T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

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KOAN 壓控晶振舉例介紹

VCXO 是將頻率控制電壓從基準電壓調到規(guī)定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的小峰值改變量。說明：基準電壓為＋2.5V，規(guī)定終點電壓為＋0.5V 和＋4.5V，壓控晶體振蕩器在＋0.5V 頻率控制電壓時頻率改變量為-2ppm，在＋4.5V頻率控制電壓時頻率改變量為 2.1ppm，則 VCXO 電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±2ppm(2.5V±2V)，斜率為正，線性為 2.4%。

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KOAN 壓控晶振的主要制造工藝流程之晶片切割

KOAN 晶振中重要的組成部分為水晶振子，晶片的切割可分為AT-CUT，BT-CUT， CT-CUT，DT-CUT，FT-CUT， XT-CUT，YT-CUT，每種切法對應一個角度.采用何種切法應根據實際情況而定，如對溫度特性要求較好則應采用 AT-CUT，KOAN 壓控振蕩器采用 AT-CUT 晶片。晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等決定了晶振的頻率。

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KOAN 壓控振蕩器的振蕩條件

相位條件：ωL=1/ωcl（ω 晶體頻率， L 晶體有效電感，CL 晶體負載電容），調整負載電容可以調整頻率高低，實現頻率精準度高；振幅條件：│Rˉ│≥R（設計電路要考慮負性阻抗值 Rˉ的相對值，在起動時要比晶體諧振電阻有效值 R 大3-20 倍，正常振蕩時│Rˉ│=R）。