濕法刻蝕

濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。其特點(diǎn)是：濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低。

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離子束刻蝕機(jī)的工作原理

通入工作氣體ya氣，氣壓10-2- 10-Torr之間，陰極放1射出的電子向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，電子將工作氣體分子電離，在樣品室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電形成等離子體。其中電子在損失能量后到達(dá)陽(yáng)極形成陽(yáng)極電流，而ya離子由多孔柵極引出，在速系統(tǒng)作用下，形成一個(gè)大面積的、束流密度均勻的離子束。為減少束中空間電荷靜電斥力的影響，減少正離子轟擊基片時(shí)，造成正電荷堆積，離子束離開(kāi)加速電極后，被中和器發(fā)出的電子中和，使正離子束變成中性束，打到基片上，進(jìn)行刻蝕。

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離子束刻蝕機(jī)的特點(diǎn)

刻蝕過(guò)程是純物理濺射，可以刻蝕任何固體材料;平行離子束刻蝕，高各向異性;無(wú)鉆蝕;精度高，分辨率<0.01um.

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離子束刻蝕

離子束刻蝕是利用具有一定能量的離子轟擊材料表面，使材料原子發(fā)生濺射，從而達(dá)到刻蝕目的.把Ar、Kr或Xe之類(lèi)惰性氣體充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面撞擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理過(guò)程。