led顯示屏和led屏驅(qū)動(dòng)芯片（二）

3、占空比

就象上面所說(shuō)的“性能原則”“只要可能，要求應(yīng)由性能特性來(lái)表達(dá)，而不用設(shè)計(jì)和描述特性來(lái)表達(dá)，這種方法給技術(shù)發(fā)展留有余地”。我們認(rèn)為，“占空比”純屬一個(gè)設(shè)計(jì)技術(shù)的要求，不應(yīng)該做為L(zhǎng)ED顯示屏產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的一項(xiàng)性能指標(biāo)；大家很明白，有哪個(gè)用戶會(huì)在意顯示屏的驅(qū)動(dòng)占空比，他們?cè)诤醯氖秋@示屏的效果，而不是我們的技術(shù)實(shí)現(xiàn)；我們何必自己制造這種技術(shù)壁壘，限制行業(yè)的技術(shù)發(fā)展呢？對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路，用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離為簡(jiǎn)單，而在大功率的應(yīng)用場(chǎng)合，則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。 

4、刷新頻率

從《標(biāo)準(zhǔn)》的測(cè)量方法來(lái)看，似乎忽略了用戶真正關(guān)心的問(wèn)題，它也沒(méi)有很好考慮到各個(gè)廠家所用的驅(qū)動(dòng)IC、驅(qū)動(dòng)電路和方式不一，造成測(cè)試的困難。譬如深圳體育場(chǎng)的全彩屏招標(biāo)，在專家的樣品測(cè)試中，這個(gè)指標(biāo)的測(cè)試就帶來(lái)許多問(wèn)題?！八⑿骂l率”一幀畫面顯示所需時(shí)間的倒數(shù)，把顯示屏當(dāng)做一個(gè)發(fā)光光源，那就是光源的閃爍頻率。我們可以用類似“光感頻率計(jì)”的儀器直接測(cè)試顯示屏的光源閃爍頻率，來(lái)反映這個(gè)指標(biāo)。我們做過(guò)這方面的測(cè)試?yán)檬静ㄆ鳒y(cè)量任一種顏色的LED驅(qū)動(dòng)電流波形來(lái)確定“刷新頻率”，在白場(chǎng)下測(cè)得200Hz；在3級(jí)灰度等低灰度級(jí)下，所測(cè)頻率高達(dá)十幾kHz，而用PR－650光譜儀測(cè)量；按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)，可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型兩類度。無(wú)論在白場(chǎng)，還是在200、100、50級(jí)等灰度等級(jí)下，所測(cè)光源閃爍頻率均為200Hz。

以上幾點(diǎn)只是針對(duì)幾個(gè)LED顯示屏的特性做一個(gè)簡(jiǎn)單的說(shuō)明，還有許多招中遇到的“工作壽命”、“平均無(wú)故障時(shí)間”等等，沒(méi)有一種試驗(yàn)方法能在較短時(shí)間內(nèi)證實(shí)LED顯示屏是否符合穩(wěn)定性、可靠性或壽命等要求；不應(yīng)規(guī)定這些要求。

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；(3)IGBT開通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片（一）

瑞泰威公司生產(chǎn)的ML4428無(wú)刷直流電機(jī)無(wú)傳感器PWM智能控制器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，它是無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)控制的簡(jiǎn)易方法，該控制器內(nèi)部的反電勢(shì)電路、起動(dòng)及換向邏輯電路、限流比較器和保護(hù)電路簡(jiǎn)化了無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的控制，做到單獨(dú)控制的正反向運(yùn)行，起動(dòng)時(shí)無(wú)反轉(zhuǎn)，采用PWM控制或噪聲的線性控制，可獲得。LED顯示屏（LEDdisplay）是一種平板顯示器，由一個(gè)個(gè)小的LED模塊面板組成，用來(lái)顯示文字、圖像、視頻、錄像信號(hào)等各種信息的設(shè)備。

1 引言

無(wú)刷直流電機(jī)具有體積小、重量輕、維護(hù)方便、節(jié)能、易于控制等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。傳統(tǒng)的無(wú)刷直流電機(jī)大多以霍爾元件或其它位置檢測(cè)元件作位置傳感器，但位置傳感器維修困難，且霍爾元件的溫度特性不好，導(dǎo)致系統(tǒng)可靠性變差。因此，無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電機(jī)成為理想選擇，并具有廣闊的發(fā)展前景，但它的控制電路相當(dāng)復(fù)雜。ML4428控制芯片的出現(xiàn)，簡(jiǎn)化了控制電路的設(shè)計(jì)，該芯片內(nèi)部含有反電勢(shì)檢測(cè)電路、起動(dòng)換向邏輯電路和保護(hù)電路，使控制器芯片只需外接少量的阻容元件就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)的控制。恒流輸出通道數(shù):恒流源輸出通道有8位和16位兩種規(guī)格，現(xiàn)在16位占主流，其主要優(yōu)勢(shì)在于減少了芯片尺寸，便于LED驅(qū)動(dòng)板(PCB)布線，特別是對(duì)于點(diǎn)間距較小的LED驅(qū)動(dòng)板更有利。

大尺寸驅(qū)動(dòng)Ic

市調(diào)機(jī)構(gòu)保守看待驅(qū)動(dòng)IC后市，相關(guān)企業(yè)看法則顯得相對(duì)分歧。聯(lián)詠、敦泰、奇景等認(rèn)同大尺寸驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)趨疲弱，對(duì)中小尺寸應(yīng)用，因各家布局產(chǎn)品與拓展商機(jī)進(jìn)度不一，看法同樣不同調(diào)。

針對(duì)大尺寸驅(qū)動(dòng)IC，聯(lián)詠總經(jīng)理王守仁日前指出，TV SoC受客戶提前備貨、第3季預(yù)期將處于消化庫(kù)存階段，預(yù)期業(yè)績(jī)微幅弱后。奇景則預(yù)估下半年大尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC營(yíng)收逐季減少，毛利率也將因COF價(jià)格居高不下，較過(guò)去弱后，產(chǎn)品業(yè)績(jī)要待現(xiàn)有客戶導(dǎo)入的新案以及2020年8K電視發(fā)酵，才有望在明年1季恢復(fù)成長(zhǎng)。2RCiss，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。