真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 

真空鍍膜機工作的環(huán)境要求：       

真空鍍膜設(shè)備要在真空條件下工作，因此該設(shè)備要滿足真空對環(huán)境的要求。真空對環(huán)境的要求，一般包括真空設(shè)備對所處實驗室（或車間）的溫度、空氣中的微粒等周圍環(huán)境的要求，和對處于真空狀態(tài)或真空中的零件或表面要求兩個方面。

離子鍍，是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)離子化，在氣體離子或蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用下，把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物蒸鍍在工件上。離子鍍把輝光放電、等離子技術(shù)與真空蒸鍍技術(shù)結(jié)合在一起，不僅明顯地提高了鍍層的各種性能，而且，大大擴充了鍍膜技術(shù)的應(yīng)用范圍。

離子鍍除兼有真空濺射的優(yōu)點外，還具有膜層的附著力強、繞射性好、可鍍材料廣泛等優(yōu)點。例如，利用離子鍍技術(shù)可以在金屬、塑料、陶瓷、玻璃、紙張等非金屬材料上，涂覆具有不同性能的單一鍍層、合金鍍層、化合物鍍層及各種復(fù)合鍍層，而且沉積速度快（可達755m/min），鍍前清洗工序簡單，對環(huán)境無污染，因此，近年來在國內(nèi)外得到了迅速的發(fā)展。

離化PVD技術(shù)通過將成膜材料高度電離化形成膜材料離子，從而增加膜材料離子的沉積動能，并使之在高化學(xué)活性狀態(tài)下沉積薄膜的技術(shù)，包括離子鍍、離子束沉積和離子束輔助沉積三類。

離化PVD過程大多是蒸發(fā)/濺射（氣相物質(zhì)激發(fā)）與等離子體離化過程（賦能、）的交叉結(jié)合。

蒸發(fā)鍍膜是依靠源材料的晶格振動能克服逸出功，從而形成沉積粒子的熱發(fā)射，即：外加能量（電阻/電子束/激光/電弧/射頻）賦予材料較高的晶格振動能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而濺射是依靠高能離子輸入動能，借助源材料中粒子間的彈性碰撞，致使更高動能粒子逸出。離化PVD 是以其它手段激發(fā)沉積物質(zhì)粒子，然后使之與高度電離的等離子體交互作用（類似 PECVD），促使沉積粒子離化，使之既可被電場加速而獲得更高動能，同時在低溫狀態(tài)下具有高化學(xué)活性。

濺射（或陰極噴涂）和蒸發(fā)是用于薄膜沉積的常用的PVD方法。

在PVD技術(shù)中，釋放或碰撞的熱物理過程將要沉積的材料（目標(biāo)）轉(zhuǎn)化為原子粒子，然后在真空環(huán)境中在氣態(tài)等離子體條件下將原子粒子定向到基材，通過冷凝或化學(xué)反應(yīng)生成物理涂層。投射原子的積累。該技術(shù)的結(jié)果是，要沉積的材料類型具有更高的靈活性，并且可以更好地控制沉積膜的成分。連接到高壓電源和真空室的兩個電極構(gòu)成了PVD反應(yīng)器。