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發(fā)布時(shí)間:2021-01-21 21:39  






?為什么需要MOSFET驅(qū)動(dòng)器?

要驅(qū)動(dòng)大容量MOSFET需要提供短時(shí)瞬間大電流,并在溝道開通后維持合適的柵源電壓(10~15V),如果用普通控制芯片或單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng),輸出電流不夠,輸出電壓也沒有這么高,所以需要驅(qū)動(dòng)器抄。4、刷新頻率從《標(biāo)準(zhǔn)》的測量方法來看,似乎忽略了用戶真正關(guān)心的問題,它也沒有很好考慮到各個(gè)廠家所用的驅(qū)動(dòng)IC、驅(qū)動(dòng)電路和方式不一,造成測試的困難。有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驅(qū)動(dòng)器,可以直接驅(qū)動(dòng)小容量MOSFET。

MOSFET不需要電流zhidao,是因?yàn)闇系篱_通后,不需要像BJT那樣必須維持一個(gè)基極電流Ib,但在溝道從關(guān)閉到到開通前,必須用瞬態(tài)大電流給MOSFET柵極電容充電。



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驅(qū)動(dòng)電路是做什么用的呢

主電路和控制百電路之間,用來對控制電路的信號進(jìn)行放大的中間電路(即放大控制電路的信號使其能夠驅(qū)動(dòng)功率晶體管),稱為驅(qū)動(dòng)電路。

按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì),可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型兩類度??撮T狗定時(shí)器由8級時(shí)基發(fā)生器和一個(gè)2級遞增計(jì)數(shù)器組成,在非正常狀態(tài)下(未知的或不希望的跳轉(zhuǎn)、執(zhí)行錯(cuò)誤等),用來停止主控器或其它子系統(tǒng)。晶閘管是半控型器件,一般其驅(qū)動(dòng)電路成為觸發(fā)電路,下面分別分析晶閘管的觸發(fā)電路,GTO、GTR、電力MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路.






用什么直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片(二)

2 ML4428原理圖及功能實(shí)現(xiàn)

ML4428電機(jī)控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(jī)(BLDC)提供起動(dòng)和調(diào)速所需的各種功能。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí),IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。它采用28腳雙列表面SOIC封裝,它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕,ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù),從電機(jī)線圈檢測反電勢,確定換向次序;采用專門的反電勢檢測技術(shù),可實(shí)現(xiàn)三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機(jī)緩沖電路的影響;采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準(zhǔn)確對電機(jī)加速的起動(dòng)技術(shù),確保起動(dòng)時(shí)電機(jī)不會(huì)反轉(zhuǎn)并可縮短起動(dòng)時(shí)間。

2.1 反電勢檢測信號的獲得

無位置傳感器無刷直流電動(dòng)機(jī)的控制與有位置傳感器無刷直流電機(jī)控制的根本區(qū)別就是利用反電勢的波形尋找換向點(diǎn)。(3)大功率IGBT在關(guān)斷時(shí),有時(shí)須加反向電壓,以防止受到干擾時(shí)誤開通。當(dāng)永磁無刷直流電動(dòng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí),各相繞組的反電動(dòng)勢(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關(guān)。由于各相繞組是交替導(dǎo)通工作的,在某相不導(dǎo)通的時(shí)刻,其反電動(dòng)勢波形的某些特殊點(diǎn),可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能,得到所需要的信息。




由于對于單相反電動(dòng)勢波形圖,反電動(dòng)勢過零點(diǎn)30°處對應(yīng)繞組的換向信號,找出反電動(dòng)勢過零點(diǎn),即反電動(dòng)勢檢測的任務(wù)〔2〕?;谶@一原理,在該芯片內(nèi)設(shè)計(jì)了一個(gè)獨(dú)特的反電勢檢測電路(見圖2),由于有了中點(diǎn)模擬電路,不需從電機(jī)三相繞組中引出中線


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