led顯示屏和led屏驅(qū)動(dòng)芯片（一）

1、 亮度

去年年底討論的行業(yè)《標(biāo)準(zhǔn)》中，對(duì)于“亮度”這個(gè)重要性能沒(méi)有給出明確的特性要求，這是符合GB／T1．2－2002的。在《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第2部分：標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)范性技術(shù)要素內(nèi)容的確定方法》的”5．4．3由供方確定的數(shù)值“中提及：“如果允許產(chǎn)品存在多樣化，則產(chǎn)品的某些特性值可不必做出規(guī)定（盡管這些特性對(duì)產(chǎn)品的性能有明顯的影響）”。因?yàn)長(zhǎng)ED顯示屏的使用環(huán)境千差萬(wàn)別，照度（也就是一般人所說(shuō)的環(huán)境亮度）不一樣，所以”對(duì)于大多數(shù)復(fù)雜產(chǎn)品，只要標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了相應(yīng)的試驗(yàn)方法，則由供方提供一份性能數(shù)據(jù)（產(chǎn)品信息）一覽表比標(biāo)準(zhǔn)中給出具體的性能要求更好”。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。這些都是符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的，但這樣也就造成了在競(jìng)中不切實(shí)際的互相攀比，用戶對(duì)此又不了解，致使許多標(biāo)書中要求的“亮度”往往遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于實(shí)際需要。因此，建議為了引導(dǎo)用戶正確理解LED顯示屏的“亮度”這個(gè)性能指標(biāo)，行業(yè)有必要給出一個(gè)指導(dǎo)：在某些場(chǎng)合，在不同照度的使用環(huán)境下，LED顯示屏的亮度達(dá)到什么值就可以滿足要求。

 2、基色主波長(zhǎng)誤差

將基色主波長(zhǎng)誤差指標(biāo)，從“基色波長(zhǎng)誤差”改到“基色主波長(zhǎng)誤差”，更能說(shuō)明這個(gè)指標(biāo)反映的是LED顯示屏的一個(gè)什么特性。顏色的主波長(zhǎng)相當(dāng)于人眼觀測(cè)到的顏色的色調(diào)，是一個(gè)心理量，是顏色相互區(qū)分的一種屬性。而這個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能要求，從字面上，用戶是無(wú)法了解到它是反映LED顯示屏顏色均勻性的一個(gè)指標(biāo)。MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）信號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無(wú)限大（等效于開(kāi)路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。因此，是引導(dǎo)用戶先弄明白這個(gè)術(shù)語(yǔ)，而后再理解這個(gè)指標(biāo)？還是首先從客戶的角度來(lái)認(rèn)識(shí)和了解LED顯示屏，再給出用戶能明白的淺顯易懂的性能特性？就象前面提到的GB／T1。

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。保護(hù)功能電源除了常規(guī)的保護(hù)功能外,在恒流輸出中增加LED溫度負(fù)反饋,防止LED溫度過(guò)高。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開(kāi)關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來(lái)取代。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

LED驅(qū)動(dòng)IC的工作原理

集成ic含有恒流電源造成電源電路，可通過(guò)外投軟件電阻器來(lái)設(shè)置輸出恒流值。通過(guò)集成ic的使能端能夠操縱輸出安全通道的開(kāi)關(guān)時(shí)間，轉(zhuǎn)換頻率高達(dá)一MHz(1MHz)。因此，建議為了引導(dǎo)用戶正確理解LED顯示屏的“亮度”這個(gè)性能指標(biāo)，行業(yè)有必要給出一個(gè)指導(dǎo)：在某些場(chǎng)合，在不同照度的使用環(huán)境下，LED顯示屏的亮度達(dá)到什么值就可以滿足要求。電流量輸出反映很快，適用高色彩平衡轉(zhuǎn)變及高界面刷新頻率的運(yùn)用。內(nèi)建引路探測(cè),超溫關(guān)閉電源，及過(guò)電流量維護(hù)作用，使軟件系統(tǒng)的可信性大幅提高。

現(xiàn)階段單脈沖式驅(qū)動(dòng)器集成ic是以高頻的脈沖計(jì)數(shù)器輸出插口向LED燈供電系統(tǒng)。由于是脈沖信號(hào)頻率很高因此人的眼睛沒(méi)辦法覺(jué)得出LED的閃頻，因此這一方法即合乎了視覺(jué)效果必須又在一方面合理節(jié)省了電磁能輸出。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。并且這種類集成ic的輸出功率一般可由外界插口操縱。

驅(qū)動(dòng)器集成ic電流的調(diào)整方式主要是更改電流調(diào)整的色度，這里假設(shè)光的亮度為1倍，白光燈的亮度與電流量轉(zhuǎn)變時(shí)的亮度變?yōu)?.7倍，這時(shí)的亮度變成3倍，盡管光照強(qiáng)度與電流并不是占比關(guān)聯(lián)，但是紅色光卻呈占比關(guān)聯(lián)，主要原因是紅、綠、藍(lán)的芯片物理性能相互不同引發(fā)。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通。