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發(fā)布時間:2020-08-19 13:55  






MOSFET幾種典型驅(qū)動電路(一)


MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進步,如微處理器運算效能不斷提升,帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力,這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快,幾乎成為各種半導體主動元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明,這種結構好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗,只有在邏輯門(logic gate)的切換動作時才有電流通過。不過如果壓降不大或者電流小,線性驅(qū)動的電流穩(wěn)定,道并且用的原件要遠遠少于開關的。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器(inverter),而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣,在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管(NMOS或是PMOS)處在導通的狀態(tài)下,另一種必定是截止狀態(tài),這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑,大量節(jié)省了電流或功率的消耗,也降低了集成電路的發(fā)熱量。





MOSFET在數(shù)字電路上應用的另外一大優(yōu)勢是對直流(DC)信號而言,MOSFET的柵極端阻抗為無限大(等效于開路),也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點,而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競爭對手BJT相較之下更為省電,而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里,除了負責驅(qū)動芯片外負載(off-chip load)的驅(qū)動器(driver)外,每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極,如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下,BJT的邏輯電路(例如常見的TTL)就沒有這些優(yōu)勢。雖然功率不大的單個用電器功率因素低一點對電網(wǎng)的影響不大,但晚上大家點燈,同類負載太集中,會對電網(wǎng)產(chǎn)生較嚴重的污染。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設計工程師而言亦有其他優(yōu)點,例如較不需考慮邏輯門輸出端的負載效應(loading effect)。



MOSFET為什么要驅(qū)動電路

現(xiàn)在市面上實際應用的多是平面工藝的MOSFET,在開關電源等領域應用非常普遍,一般作為百開關管使用。實際的MOSFET有別于理想的MOSFET,柵極和源度極,源極和漏極都是存在電容的,要用合適的驅(qū)動電路才能使MOS管工作在低導通損耗的開關狀態(tài)。按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì),可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型兩類度。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動,并且要求一定的驅(qū)動能力。



也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形,看是否工作在完全導通狀態(tài),上升和下降時間在輻射容滿足要求的情況下,盡量的陡峭。



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